[发明专利]一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法在审
| 申请号： | 202010086332.1 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111258507A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;李礼;陈佳;苗诗君;余云;杨冀;叶韬;刘碧贞 | 申请（专利权）人： | 上海威固信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 王文锋 |
| 地址： | 201702 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ct tlc nand 闪存 存储 设备 可靠性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法，其特征在于,仅将失效闪存页所在层中其他闪存页置为失效状态并仅对其中的有效数据页进行迁移，包括以下步骤：
(1)接收读请求，在读取过程中，首先获取目标页LPN，然后在映射表中查找LPN对应的PPN并读取该PPN中的数据；
(2)采用ECC对读取的数据进行纠错，获取RBER并与ECC阈值比较；
(3)若RBER大于等于ECC阈值则转至步骤(4)，若RBER小于ECC阈值则转至步骤(6)；
(4)将对应PPN所在层中所有有效数据转移至空闲页中，并修改映射表中对应位置的PPN；
(5)在块状态表中将PPN所在层状态标记为失效；
(6)本次读操作完成。
2.根据权利要求1所述的一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法，其特征在于：在步骤(5)中所述的块状态表存储闪存块各层的状态，仅标记坏层。
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