[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其具有基板(3)、功率半导体组件(4)、弹性变形元件(10)、按压元件(11)、导电的母线(5)和电容器(6)，所述功率半导体组件(4)布置在基板(3)上并导电地连接到基板(3)，所述电容器(6)导电地连接到母线(5)并且具有电容形成装置(6a)，所述电容形成装置(6a)形成电容器(6)的电容，其特征在于，为了安装电容器(6)，功率半导体装置(1)具有电容器安装装置(8)，所述电容器安装装置(8)具有用于接收电容器(6)的杯形的接收装置(8c)，并且电容器(6)布置在其中，其中导电地连接到母线的导电的母线连接元件(5a'，5b')在朝基板(3)的方向上从所述母线(5)延伸，其中变形元件(10)布置在电容器安装装置(8)背离母线(5)的一侧(8a')和按压元件(11)之间，其中按压元件(11)与电容器安装装置(8)形成为多个部分，其中按压元件(11)设计成通过变形元件(10)在朝母线(5)的方向上按压电容器安装装置(8)，从而在朝基板(3)的方向上按压母线(5)，从而按压母线连接元件(5a'，5b')抵靠基板(3)的导电的导体轨道(3b')，使得母线连接元件(5a'，5b')被按压为与基板(3)的这些导体轨道(3b')的导电接触。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，功率半导体装置(1)具有导电地连接到母线(5)的多个电容器(6)，各个电容器(6)具有电容形成装置(6a)，所述电容形成装置(6a)形成各个电容器(6)的电容，其中为了安装电容器(6)，功率半导体装置(1)具有电容器安装装置(8)，所述电容器安装装置(8)具有用于接收电容器(6)的杯形的接收装置(8c)，其中各个电容器(6)布置在各个接收装置(8c)中。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器安装装置(8)支承在母线(5)上并且与母线(5)机械接触。

4.根据权利要求3所述的功率半导体装置，其特征在于，接收装置(8c)支承在母线(5)上并且与母线(5)机械接触。

5.根据权利要求3所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器(6)以通过封装材料(7)浇铸到接收装置(8c)中的方式布置。

6.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，电容形成装置(6a)通过封装材料(7)材料地连接到接收装置(8c)，其中封装材料(7)与电容形成装置(6a)和接收装置(8c)机械接触。

7.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器(6)具有电容器壳体(6e)，电容形成装置(6a)布置在其中，其中电容器壳体(6e)通过封装材料(7)材料地连接到接收装置(8c)，其中封装材料(7)与电容器壳体(6e)和接收装置(8c)机械接触。

8.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器(6)和封装材料(7)不与母线(5)机械接触。

9.根据权利要求3所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器(6)具有电容器壳体(6e)，电容形成装置(6a)布置在其中，其中电容器壳体(6e)以被按压进入接收装置(8c)的方式布置。

10.根据权利要求9所述的功率半导体装置，其特征在于，电容器(6)不与母线(5)机械接触。

11.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，变形元件(10)具有泡沫结构和/或由弹性体形成。

12.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，母线(5)具有导电的正电势轨(5a)和导电的负电势轨(5b)，所述导电的正电势轨(5a)和导电的负电势轨(5b)通过布置在正电势轨(5a)和负电势轨(5b)之间的非导电隔离层(5c)以彼此电隔离方式布置。