[发明专利]芯片、功率器件及芯片的制作方法

说明书

本公开涉及一种芯片、功率器件及芯片的制作方法。芯片包括:接触结构；介质层，位于接触结构的前侧；至少一个过孔，过孔贯穿介质层并通向接触结构；接触改善层，覆于介质层的前侧表面、过孔的孔壁以及接触结构被过孔曝露的表面，接触改善层的前侧表面具有凹陷图案结构；金属层，位于接触改善层的前侧表面且填充过孔。

技术领域

本公开涉及电力电子技术领域，特别涉及一种芯片、功率器件及芯片的制作方法。

背景技术

随着芯片技术和封装技术的不断发展，对功率器件的可靠性要求也随之提高。目前，功率器件在制作时，在将芯片的电极接点与引线框架的内引脚部通过焊线连接后，通常需要进行拉力测试，以测试连接的可靠性。在此测试过程中，芯片结构的可靠性也在经受着考验。

发明内容

本公开实施例提供一种芯片、功率器件及芯片的制作方法，以解决相关技术中功率器件的芯片可靠性欠佳的技术问题。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种芯片，包括：

接触结构；

介质层，位于所述接触结构的前侧；

至少一个过孔，所述过孔贯穿所述介质层并通向所述接触结构；

接触改善层，覆于所述介质层的前侧表面、所述过孔的孔壁以及所述接触结构被所述过孔曝露的表面，所述接触改善层的前侧表面具有凹陷图案结构；

金属层，位于所述接触改善层的前侧表面且填充所述过孔。

在一些实施例中，所述凹陷图案结构位于所述过孔的外部。

在一些实施例中，所述凹陷图案结构包括多个盲孔；或者

所述凹陷图案结构包括多个沟槽；或者

所述凹陷图案结构包括网状沟壑。

在一些实施例中，所述接触改善层包括沿远离所述介质层的方向依次设置的第一调节层和第二调节层，所述凹陷图案结构设于所述第二调节层的前侧表面。

在一些实施例中，所述介质层的材料包括硅的氧化物，所述第一调节层的材料包括钛，所述第二调节层的材料包括氮化钛。

在一些实施例中，所述金属层包括沿远离所述介质层的方向依次设置的填充金属和面金属，所述填充金属填充于所述过孔内，所述面金属位于所述接触改善层的前侧表面且位于所述过孔的外部。

在一些实施例中，所述填充金属的材料包括钨，所述面金属的材料包括铝。

在一些实施例中，所述芯片包括晶体管区，所述接触结构包括位于所述晶体管区的P型接触层，所述金属层包括位于所述晶体管区的发射极金属，所述至少一个过孔包括通向所述P型接触层的第一过孔。

在一些实施例中，所述芯片还包括围绕所述晶体管区的耐压区，所述接触结构还包括位于所述耐压区的耐压环，所述金属层还包括位于所述耐压区的耐压金属，所述芯片包括多个所述过孔，多个所述过孔包括通向所述耐压环的第二过孔。

在一些实施例中，所述的芯片，还包括:

N型半导体衬底；

P型阱，位于所述N型半导体衬底的前侧；

N型发射层，位于所述P型阱的前侧；

沟槽，穿过所述N型发射层和所述P型阱并延伸至所述N型半导体衬底的内部；

栅介质层，至少覆于所述沟槽的槽壁；

栅极，填充于所述沟槽内；