[发明专利]芯片、功率器件及芯片的制作方法

权利要求书

1.一种芯片，包括：

接触结构；

介质层，位于所述接触结构的前侧；

至少一个过孔，所述过孔贯穿所述介质层并通向所述接触结构；

接触改善层，覆于所述介质层的前侧表面、所述过孔的孔壁以及所述接触结构被所述过孔曝露的表面，所述接触改善层的前侧表面具有凹陷图案结构；

金属层，位于所述接触改善层的前侧表面且填充所述过孔。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中：所述凹陷图案结构位于所述过孔的外部。

3.根据权利要求1所述的芯片，其中：

所述凹陷图案结构包括多个盲孔；或者

所述凹陷图案结构包括多个沟槽；或者

所述凹陷图案结构包括网状沟壑。

4.根据权利要求1所述的芯片，其中：

所述接触改善层包括沿远离所述介质层的方向依次设置的第一调节层和第二调节层，所述凹陷图案结构设于所述第二调节层的前侧表面。

5.根据权利要求4所述的芯片，其中：

所述介质层的材料包括硅的氧化物，所述第一调节层的材料包括钛，所述第二调节层的材料包括氮化钛。

6.根据权利要求1所述的芯片，其中：

所述金属层包括沿远离所述介质层的方向依次设置的填充金属和面金属，所述填充金属填充于所述过孔内，所述面金属位于所述接触改善层的前侧表面且位于所述过孔的外部。

7.根据权利要求6所述的芯片，其中：

所述填充金属的材料包括钨，所述面金属的材料包括铝。

8.根据权利要求1至7任一项所述的芯片，其中：

所述芯片包括晶体管区，所述接触结构包括位于所述晶体管区的P型接触层，所述金属层包括位于所述晶体管区的发射极金属，所述至少一个过孔包括通向所述P型接触层的第一过孔。

9.根据权利要求8所述的芯片，其中：

所述芯片还包括围绕所述晶体管区的耐压区，所述接触结构还包括位于所述耐压区的耐压环，所述金属层还包括位于所述耐压区的耐压金属，所述芯片包括多个所述过孔，多个所述过孔包括通向所述耐压环的第二过孔。

10.根据权利要求8所述的芯片，还包括:

N型半导体衬底；

P型阱，位于所述N型半导体衬底的前侧；

N型发射层，位于所述P型阱的前侧；

沟槽，穿过所述N型发射层和所述P型阱并延伸至所述N型半导体衬底的内部；

栅介质层，至少覆于所述沟槽的槽壁；

栅极，填充于所述沟槽内；

其中，所述P型接触层位于所述P型阱内，所述介质层位于所述栅极的前侧，所述第一过孔贯穿所述介质层和所述N型发射层并通向所述P型接触层。

11.根据权利要求10所述的芯片，还包括:

位于所述N型半导体衬底的背侧且沿远离所述N型半导体衬底的方向依次设置的缓冲层、P型集电层和集电极金属；以及

位于所述金属层前侧的保护层，所述保护层曝露出部分所述发射极金属。

12.根据权利要求10所述的芯片，还包括:

与所述N型半导体衬底的背侧连接的集电极金属；以及

位于所述金属层前侧的保护层，所述保护层曝露出部分所述发射极金属。

13.一种功率器件，包括根据权利要求1至12任一项所述的芯片。