[实用新型]一种便于光斑整形的高功率半导体激光器

说明书

本实用新型公开一种便于光斑整形的高功率半导体激光器，包括激光芯片、基底热沉、过渡热沉和电极，所述激光芯片焊接设置于过渡热沉上，过渡热沉设置于基底热沉上方中部，基底热层位于过渡热沉的两侧位置开设溢槽，激光芯片通过金线引出到电极；所述的该半导体激光器解决了芯片封装、其他C‑mount封装结构的半导体激光器热沉导电存在的安全问题及其他加电安装问题，使得形成的半导体激光器封装结构简单、散热好、使用寿命长，实现高质量光斑输出。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种便于光斑整形的高功率半导体激光器。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。具有体积小、寿命长，电光转化效率高、稳定性好等优点，被广泛应用于激光通信、激光照明、激光陀螺、激光打标、科学研究、测距以及雷达等方面，很多应用对半导体激光器要求具有输出功率高、可靠性高、使用寿命长的特点。

目前半导体激光器面临的问题是激光芯片封装方式、输出功率稳定性差、散热差、转化效率不高等问题，还存在安装加电不方便，激光芯片加电电极与基底热沉导通安全问题，这些问题都制约了半导体激光器发展的空间，现有的封装结构还有待改进和提高。

实用新型内容

针对以上现有技术的不足，本实用新型提供了一种使激光芯片散热能力、激光器发光效率、激光器输出功率稳定性、加电灵活性及激光器使用寿命得到进一步的改善和提高的便于光斑整形的高功率半导体激光器。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种便于光斑整形的高功率半导体激光器，包括激光芯片、基底热沉、过渡热沉和电极，所述激光芯片焊接设置于过渡热沉上，过渡热沉设置于基底热沉上方中部，基底热层位于过渡热沉的两侧位置开设溢槽，激光芯片通过金线引出到电极。

进一步地，所述过渡热沉为光学处理的石墨烯。

进一步地，所述电极为正、负陶瓷电极，所述正陶瓷电极和负陶瓷电极设置于基底热沉的两侧，激光芯片通过金线引出到电极；正、负陶瓷电极为L型。

进一步地，所述电极的负电极为陶瓷电极，设置于基底热沉的上方一侧；所述负电极设置于基底热沉的下方一角。

进一步地，所述基底热沉下方开设安装孔。

进一步地，激光芯片焊接到过渡热沉用到的焊料是金锡焊片。

进一步地，陶瓷电极与基底热沉之间的焊料为低温软焊料。

进一步地，所述陶瓷电极的表面镀镍。

本实用新型的有益效果为：

1、体积小，结构简单，易于制造，性能可靠性高。

2、陶瓷电极与基底热沉形成很好的绝缘性。

3、激光器模块做快轴准直、光斑整形带来方便。

附图说明

图1是本实用新型一种便于光斑整形的高功率半导体激光器的结构示意图的俯视图；

图2是本实用新型一种便于光斑整形的高功率半导体激光器的结构示意图的侧视图；

图3是实施例2半导体激光器的结构示意图。

图中：1、激光芯片；2、石墨烯；3、溢槽；4、负陶瓷电极；5、正陶瓷电极；6、金线；7、安装孔；8、基底热沉。

具体实施方式