[实用新型]一种便于光斑整形的高功率半导体激光器有效
| 申请号： | 201922294886.6 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN211151047U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陆知纬;刘菊霞;王加朗;李关 | 申请（专利权）人： | 无锡佶达德光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 便于 光斑 整形 功率 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，包括激光芯片、基底热沉、过渡热沉和电极，所述激光芯片焊接设置于过渡热沉上，过渡热沉设置于基底热沉上方中部，基底热层位于过渡热沉的两侧位置开设溢槽，激光芯片通过金线引出到电极。
2.如权利要求1所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，所述过渡热沉为光学处理的石墨烯。
3.如权利要求1所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，所述电极为正、负陶瓷电极，所述正陶瓷电极和负陶瓷电极设置于基底热沉的两侧，激光芯片通过金线引出到电极；正、负陶瓷电极为L型。
4.如权利要求1所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，所述电极的负电极为陶瓷电极，设置于基底热沉的上方一侧；所述负电极设置于基底热沉的下方一角。
5.如权利要求2或3或4所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，所述基底热沉下方开设安装孔。
6.如权利要求5所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，激光芯片焊接到过渡热沉用到的焊料是金锡焊片。
7.如权利要求6所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，陶瓷电极与基底热沉之间的焊料为低温软焊料。
8.如权利要求7所述便于光斑整形的高功率半导体激光器，其特征在于，所述陶瓷电极的表面镀镍。
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