[实用新型]压接端子及智能功率模块有效
申请号: | 201921969729.4 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN211126138U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 胡渊;汤桂衡;陈健 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇川技术股份有限公司 |
主分类号: | H01R12/50 | 分类号: | H01R12/50;H01R13/40 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 518101 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 端子 智能 功率 模块 | ||
本实用新型实施例提供了一种压接端子及智能功率模块,所述压接端子包括由导电材料构成的柱状主体,所述柱状主体的底端具有导电连接头,且所述柱状主体上具有至少一个压接部;每一所述压接部的至少一部分在自由状态下突出于所述柱状主体的外周,且在自由状态下突出于所述柱状主体的外周的部分,在受到压力时产生弹性形变并产生与所述压力相反的弹性回复力。本实用新型实施例通过压接端子上的压接部实现与内驱动板的导电连接及内驱板的机械固定,不仅省去了内驱动板的机械固定结构,节省了成本,而且简化了装配步骤,节省了装配时间,提升了装配效率。
技术领域
本实用新型实施例涉及电力电子设备领域,更具体地说,涉及一种压接端子及智能功率模块。
背景技术
智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)是一种先进的功率开关器件,具有大功率晶体管(Great Transistor,GTR)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。现有的智能功率模块在传统功率模块的基础上集成了功能电路单元,因其高集成度、高可靠性以及简易外置配套电路,被广泛应用在家电、工业传动等领域。
目前,智能功率模块中以内置印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)形式存在的功能电路单元的封装方式一般是:将该内置印制电路板放置在模块外壳的支撑台阶上,且该内置印制电路板通过与焊接在功率电路基板上的柱体进行焊接的方式进行连接,或者内置印制电路板通过金属线绑定到端子上,端子再通过金属线绑定到功率电路基板上进行连接。
这种封装方式,需要通过IPM外壳上的支撑部件进行装配或固定功能电路单元,导致IPM外壳需要设计为分离式外壳,即一个外壳框和一个封盖,支撑部件设置于外壳框的四个侧面,相对于一体化外壳而言,增加了外壳料本和装配工序;此外,上述焊接和绑定都只能单个进行操作,当智能功率模块需要焊接和绑定的点非常多时,会极大增加组装成本,给产品制造带来麻烦,且焊接易产生污染,并影响印制电路板上元器件寿命,并且焊接操作还存在内部应力集中的风险,在振动场合影响使用寿命。
实用新型内容
本实用新型实施例针对上述智能功率模块在连接功能电路单元时,需要设计包含支撑部件的分离外壳,导致成本和装配工序增加,且由于焊接和绑定都只能单个进行,导致组装成本增加,以及焊接操作容易产生污染并影响印制电路板使用寿命的问题,提供一种压接端子及智能功率模块。
本实用新型实施例解决上述技术问题的技术方案是,提供一种压接端子,包括由导电材料构成的柱状主体,所述柱状主体的底端具有导电连接头,且所述柱状主体上具有至少一个压接部;每一所述压接部的至少一部分在自由状态下突出于所述柱状主体的外周,且在自由状态下突出于所述柱状主体的外周的部分,在受到压力时产生弹性形变并产生与所述压力相反的弹性回复力。
优选地,所述压接端子的导电连接头由底座构成,且所述底座包括插接孔;所述柱状主体插装在所述底座的插接孔内,并与所述底座导电连接。
优选地,所述导电连接头由与柱状主体一体的弹性支撑脚构成,所述弹性支撑脚的一端与柱状主体相连接,且所述弹性支撑脚的主体部分经过弯折后形成位于柱状主体的底部并垂直于柱状主体的轴向的焊接面。
优选地,所述柱状主体的压接部具有开窗,且在自由状态下突出于所述柱状主体的外周的部分由所述开窗的外翻边构成;
或者,所述柱状主体的压接部具有穿孔,且在自由状态下突出于所述柱状主体的外周的部分由所述穿孔两侧的凸弧构成。
优选地,所述柱状主体的首端具有插接部,且在远离所述柱状主体的底端的方向上,所述插接部的横截面的面积逐渐减小;
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