[实用新型]一种引线框架和功率半导体器件

说明书

本申请提供了一种引线框架，包括基体及第一引脚、第二引脚和第三引脚，第二引脚和基体的连接区与第一引脚和基体的连接区的距离小于第二引脚和基体的连接区与第三引脚与基体的连接区的距离，第三引脚与基体的连接区朝向第二引脚与基体的连接区的方向延伸，使得第三引脚与基体的连接区的面积大于第二引脚与基体的连接区的面积。本申请的引线框架增大了第三引脚与基体连接区的过电流能力。同时，该引线框架增大了塑封材料与引线框架的粘接面积，提高了密着性能，改善了封装分层现象。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种引线框架和功率半导体器件。

背景技术

随着功率半导体器件的封装技术的发展，对引线框架的要求也越来越高。一般在功率半导体器件的封装时，其引线框架的栅极引脚与栅极连通，集电极引脚与集电极通过基体连通，发射极引脚与发射极连通。通常由于栅极的电流比较小，而集电极与发射极的电流较大，因此，发射极引脚与基体之间需要更大连接面积。但在已有产品中发射极引脚与基体之间的连接区域却比较小，从而导致该位置过电流能力小。此外，封装后出现塑封材料与引线框架结合不好，导致在后续工艺或使用过程中出现分层现象，严重影功率半导体器件的可靠性。

实用新型内容

针对上述现有技术中的问题，本申请提出了一种用于功率半导体器件的引线框架和功率半导体器件，用于解决上述全部或部分技术问题。

第一方面，本申请提供一种用于功率半导体器件的引线框架，包括基体及分别与栅极、集电极和发射极连接的第一引脚、第二引脚和第三引脚，

其中，所述第二引脚和所述基体的连接区与所述第一引脚和所述基体的连接区的距离小于所述第二引脚和所述基体的连接区与所述第三引脚与所述基体的连接区的距离，所述第三引脚与所述基体的连接区朝向所述第二引脚与所述基体的连接区的方向延伸，使得所述第三引脚与所述基体的连接区的面积大于所述第二引脚与所述基体的连接区的面积。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚上开设有用于容纳封装材料的第一通孔，和/或

所述基体上开设有用于容纳封装材料的第二通孔。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第一通孔设置在所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚靠近所述基体的一端。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚上均开设有第一用于容纳封装材料的凹槽，和/或

所述基体上开设有用于容纳封装材料的第二凹槽。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第二凹槽为多个，多个所述第二凹槽垂直相交。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第二通孔设置在所述第二凹槽垂直相交的位置。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述凹槽构造为U型、V型或梯型。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第一引脚和所述第三引脚通过焊接的方式与所述功率半导体器件的芯片连接，所述第二引脚通过基体的导电部与所述功率半导体器件的芯片连接。

在根据第一方面的一个实施方式中，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均包括封装段和笔直的非封装段，所述第二引脚的封装段朝向所述第三引脚的封装段弯曲，以使所述第二引脚的非封装段与第一引脚的非封装段之间的距离等于所述第二引脚的非封装段与第三引脚的非封装段之间的距离。

第二方面，本申请提供一种功率半导体器件，包括根据第一方面所述的用于功率半导体器件的引线框架。

与现有技术相比，本申请具有以下优点：