[实用新型]一种引线框架和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921744581.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN210403715U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 杨发森;史波;肖婷;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 功率 半导体器件 | ||
1.一种用于功率半导体器件的引线框架，包括基体及分别与栅极、集电极和发射极连接的第一引脚、第二引脚和第三引脚，其特征在于：
所述第二引脚和所述基体的连接区与所述第一引脚和所述基体的连接区的距离小于所述第二引脚和所述基体的连接区与所述第三引脚与所述基体的连接区的距离，所述第三引脚与所述基体的连接区朝向所述第二引脚与所述基体的连接区的方向延伸，使得所述第三引脚与所述基体的连接区的面积大于所述第二引脚与所述基体的连接区的面积。
2.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于：所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚上开设有用于容纳封装材料的第一通孔，和/或
所述基体上开设有用于容纳封装材料的第二通孔。
3.根据权利要求2所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第一通孔设置在所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚靠近所述基体的一端。
4.根据权利要求2所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第一引脚、所述第二引脚和所述第三引脚上均开设有第一用于容纳封装材料的凹槽，和/或
所述基体上开设有用于容纳封装材料的第二凹槽。
5.根据权利要求4所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第二凹槽为多个，多个所述第二凹槽垂直相交。
6.根据权利要求5所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第二通孔设置在所述第二凹槽垂直相交的位置。
7.根据权利要求4-6任一项所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述凹槽构造为U型、V型或梯型。
8.根据权利要求1-6任一项所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第一引脚和所述第三引脚通过焊接的方式与所述功率半导体器件的芯片连接，所述第二引脚通过基体的导电部与所述功率半导体器件的芯片连接。
9.根据权利要求1-6任一项所述的用于功率半导体器件的引线框架，其特征在于，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均包括封装段和笔直的非封装段，所述第二引脚的封装段朝向所述第三引脚的封装段弯曲，以使所述第二引脚的非封装段与第一引脚的非封装段之间的距离等于所述第二引脚的非封装段与第三引脚的非封装段之间的距离。
10.一种功率半导体器件，其特征在于，包括根据权利要求1-9任一项所述的用于功率半导体器件的引线框架。
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