[实用新型]一种功率器件的老化测试装置有效
申请号: | 201921327232.2 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN210572594U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 林文杰;李继华;章涛 | 申请(专利权)人: | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 黄国豪 |
地址: | 519000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 老化 测试 装置 | ||
1.一种功率器件的老化测试装置,其特征在于:
包括电压接入端口、接地端、电容、可控开关器件、功率器件测试位、第一二极管、第二二极管和电感,所述电容连接在所述电压接入端口和所述接地端之间,所述可控开关器件的第一端、所述第一二极管的正极与所述电压接入端口连接,所述可控开关器件的第二端、所述第二二极管的正极与所述电感的第一端连接,所述电感的第二端、所述第一二极管的负极与所述功率器件测试位的第一端连接,所述第二二极管的负极、所述功率器件测试位的第二端与接地端连接。
2.根据权利要求1所述的老化测试装置,其特征在于:
所述老化测试装置还包括控制单元,所述可控开关器件的控制端与所述控制单元连接,所述功率器件测试位的控制端与所述控制单元连接。
3.根据权利要求1所述的老化测试装置,其特征在于:
所述可控开关器件可采用MOSFET器件、IGBT器件或电磁开关器件。
4.根据权利要求1至3任一项所述的老化测试装置,其特征在于:
所述老化测试装置还包括功率器件,所述功率器件设置在功率器件测试位上,所述功率器件的源极与所述接地端连接,所述功率器件的漏极与所述第一二极管的负极连接。
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