[实用新型]提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置有效

专利信息
申请号: 201921243278.6 申请日: 2019-08-02
公开(公告)号: CN210795785U 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 贾坤;唐伟博;牛娜 申请(专利权)人: 陕西天宏硅材料有限责任公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/107
代理公司: 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 代理人: 侯峰;韩素兰
地址: 712000 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 提高 多晶 生产 氢化 工艺 安全性 高压 氮气 保护装置
【说明书】:

实用新型公开了一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置,包括进气调节阀、氮气进气缓冲罐、切断阀、流化床反应器;所述进气调节阀通过管路与氮气进气缓冲罐连接,所述氮气进气缓冲罐的排气口一路经切断阀与流化床反应器连通,所述流化床反应器的排气口与废气处理单元连通。本实用新型能够能安全快速的将事故排除,大大增加流化床反应器的安全系数,减少了系统因异常情况下压力下降,造成的损失,保证了硅粉及浆料能连续稳定的输送,保证了整个系统平稳的运行。

技术领域

本实用新型属于多晶硅制造设备技术领域,具体涉及一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置。

背景技术

在多晶硅生产氯氢化工艺的制备,反应气体是在流化床反应器中进行,使用气态四氯化硅与硅粉及氢气在高温高压下反应制得三氯氢硅;由于硅粉对管道及设备磨损十分厉害,在运行一段时间后,容易出现泄漏造成着火;若直接切断物料供给或直接泄压至废气处理单元,极有可能造成负压回火,引发更大的爆炸,造成极其严重的后果,而采用本高压氮气保护系统后,能有效防止此类事故的发生,并能及时有效的处理泄漏着火造成的影响;同时,整个三氯氢硅制备系统的压力,大部分由氢气循环压缩机提供,若压缩机突然停机,可能造成系统压力降低,严重时造成整个系统停车;而接入高压氮气后,可以保证系统压力稳定,待压缩机重启后即可重新进行生产,减少损失。

另外,在硅粉输送及浆料排放过程中,极易造成管道和阀门的堵塞。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

本实用新型实施例提供一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置,包括进气调节阀、氮气进气缓冲罐、切断阀、流化床反应器;所述进气调节阀通过管路与氮气进气缓冲罐连接,所述氮气进气缓冲罐的排气口一路经切断阀与流化床反应器连通,所述流化床反应器的排气口与废气处理单元连通。

上述方案中,所述氮气进气缓冲罐的排气口的另一路与氮气分配管连接,所述氮气分配管上设置有用于对易堵部位吹扫的若干个软管。

上述方案中,所述氮气进气缓冲罐的排气口与氮气分配管之间依次设置第一球阀、第二球阀,所述第一球阀、第二球阀之间连接流化床反应器。

上述方案中,所述氮气进气缓冲罐上设置有远传压力表。

与现有技术相比,本实用新型能够能安全快速的将事故排除,大大增加流化床反应器的安全系数,减少了系统因异常情况下压力下降,造成的损失,保证了硅粉及浆料能连续稳定的输送,保证了整个系统平稳的运行。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

本实用新型实施例提供一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置,如图1所示,包括进气调节阀1、氮气进气缓冲罐2、切断阀5、流化床反应器7;所述进气调节阀1通过管路与氮气进气缓冲罐2连接,所述氮气进气缓冲罐2的排气口一路经切断阀5与流化床反应器7连通,所述流化床反应器7的排气口与废气处理单元连通,这样,流化床反应器7的废气排入后续尾气处理单元,保证主反应器在事故时能危险工艺气体及时排除,防止更大的隐患发生。

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