[实用新型]提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置有效
| 申请号： | 201921243278.6 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN210795785U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 贾坤;唐伟博;牛娜 | 申请（专利权）人： | 陕西天宏硅材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/107 |
| 代理公司： | 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 | 代理人： | 侯峰;韩素兰 |
| 地址： | 712000 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 多晶 生产 氢化 工艺 安全性 高压 氮气 保护装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置，其特征在于，包括进气调节阀(1)、氮气进气缓冲罐(2)、切断阀(5)、流化床反应器(7)；所述进气调节阀(1)通过管路与氮气进气缓冲罐(2)连接，所述氮气进气缓冲罐(2)的排气口一路经切断阀(5)与流化床反应器(7)连通，所述流化床反应器(7)的排气口与废气处理单元连通。
2.根据权利要求1所述的提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置，其特征在于，所述氮气进气缓冲罐(2)的排气口的另一路与氮气分配管(4)连接，所述氮气分配管(4)上设置有用于对易堵部位吹扫的若干个软管(6)。
3.根据权利要求2所述的提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置，其特征在于，所述氮气进气缓冲罐(2)的排气口与氮气分配管(4)之间依次设置第一球阀(8)、第二球阀(9)，所述第一球阀(8)、第二球阀(9)之间连接流化床反应器(7)。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置，其特征在于，所述氮气进气缓冲罐(2)上设置有远传压力表(3)。
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