[实用新型]射频功率放大电路有效
| 申请号: | 201920885585.8 | 申请日: | 2019-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN210183295U | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
| 发明(设计)人: | 王达国;王琦;韩振亚 | 申请(专利权)人: | 柏斯速眠科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F1/02;A61M21/02 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈金普;周玲 |
| 地址: | 518051 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 功率 放大 电路 | ||
本申请涉及一种射频功率放大电路,包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块,连接开关模块的射频功率放大芯片模块,以及分别连接射频功率放大芯片模块、开关模块的电容模组;电容模组包括至少一个电容模块;电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容;第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端,均分别连接射频功率放大芯片模块和开关模块;第一电容的另一端、第二电容的另一端和第三电容的另一端接地;其中,第一电容、第二电容和第三电容均为金属端子陶瓷电容。本申请可减小电容的压电效应,从而减小作用在射频功率放大电路集成PCB板的震动强度,减少震动噪声并降低对输出信号的干扰。
技术领域
本申请涉及射频技术领域,特别是涉及一种射频功率放大电路。
背景技术
助眠仪通过输出特定模式的脉冲磁场,从而影响大脑神经细胞的电化学活动,促进脑内抑制性神经递质、内源性催眠物质的释放,并抑制大脑皮层的过度觉醒,从而缩短睡眠潜伏期。助眠仪在输出脉冲磁场时,需要采用射频功率放大电路增强电磁波,以满足输出要求。
然而,在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:目前助眠仪中的射频功率放大电路容易对输出信号造成干扰。
实用新型内容
基于此,有必要针对上述易对输出信号造成干扰的技术问题,提供一种能够降低对输出信号干扰的射频功率放大电路。
为了实现上述目的,本申请实施例提供了一种射频功率放大电路,包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块,连接开关模块的射频功率放大芯片模块,以及分别连接射频功率放大芯片模块、开关模块的电容模组;电容模组包括至少一个电容模块;
电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容;第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端,均分别连接射频功率放大芯片模块和开关模块;第一电容的另一端、第二电容的另一端和第三电容的另一端接地;
其中,第一电容、第二电容和第三电容均为金属端子陶瓷电容。
在其中一个实施例中,射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片;电容模块的数量为2个;
其中,任一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第一射频功率放大芯片的VD1B管脚;另一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第二射频功率放大芯片的VD1B管脚。
在其中一个实施例中,射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片;电容模块的数量为2个;
其中,任一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端分别连接第一射频功率放大芯片的VD2B1管脚、第一射频功率放大芯片的VD2B2管脚;另一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端分别连接第二射频功率放大芯片的VD2B1管脚、第二射频功率放大芯片的VD2B2管脚。
在其中一个实施例中,射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片;电容模块的数量为2个;
其中,任一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第一射频功率放大芯片的VD2A1管脚;另一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第二射频功率放大芯片的VD2A1管脚。
在其中一个实施例中,射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片;电容模块的数量为2个;
其中,任一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第一射频功率放大芯片的VD2A2管脚、第一射频功率放大芯片的VD2A3管脚;另一电容模块的第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端连接第二射频功率放大芯片的VD2A2管脚、第二射频功率放大芯片的VD2A3管脚。
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