[实用新型]射频功率放大电路

权利要求书

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块，连接所述开关模块的射频功率放大芯片模块，以及分别连接所述射频功率放大芯片模块、所述开关模块的电容模组；所述电容模组包括至少一个电容模块；

所述电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容；所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端，均分别连接所述射频功率放大芯片模块和所述开关模块；所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端和所述第三电容的另一端接地；

其中，所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容均为金属端子陶瓷电容。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；

其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第一射频功率放大芯片的VD1B管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第二射频功率放大芯片的VD1B管脚。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；

其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端分别连接所述第一射频功率放大芯片的VD2B1管脚、所述第一射频功率放大芯片的VD2B2管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端分别连接所述第二射频功率放大芯片的VD2B1管脚、所述第二射频功率放大芯片的VD2B2管脚。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；

其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第一射频功率放大芯片的VD2A1管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第二射频功率放大芯片的VD2A1管脚。

5.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；

其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第一射频功率放大芯片的VD2A2管脚、所述第一射频功率放大芯片的VD2A3管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第二射频功率放大芯片的VD2A2管脚、所述第二射频功率放大芯片的VD2A3管脚。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS管、第二MOS管、三极管、第四电容以及第五电容；所述偏置电源包括三极管偏置电源和开关偏置电源；

所述三极管的基极连接所述控制电源，发射极接地，集电极分别连接所述三极管偏置电源、所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极；

所述第一MOS管的源极连接所述开关偏置电源和所述第四电容的一端，漏极连接所述射频功率放大芯片模块、以及对应电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端；

所述第二MOS管的源极连接所述开关偏置电源和所述第五电容的一端，漏极连接所述射频功率放大芯片模块、以及对应电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端；

所述第四电容的另一端和所述第五电容的另一端接地。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述开关模块还包括连接在所述三极管偏置电源和所述集电极之间的第一电阻，连接在所述集电极和所述第一MOS管的栅极之间的第二电阻，连接在所述集电极和所述第二MOS管的栅极之间的第三电阻，以及依次连接在所述控制电源和所述基极之间的第四电阻、第五电阻。