[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911409251.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129157B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王宇澄;张子敏 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征是：具有第一导电类型的衬底层（1），在衬底层（1）的上表面设有具有第一导电类型的外延层（2），在外延层（2）内设有第一U形氧化硅层（3.1）和第二U形氧化硅层（3.2），在第一U形氧化硅层（3.1）的沟槽内设有第一源极多晶硅（4.1）与第一U形氮化硅（5.1），第一U形氮化硅（5.1）位于第一源极多晶硅（4.1）的上方，在第一U形氮化硅（5.1）内填满第三多晶硅（4.3），在第二U形氧化硅层（3.2）的沟槽内填满第二源极多晶硅（4.2），在第一U形氮化硅（5.1）左侧和右侧的第一U形氧化硅层（3.1）内均设有第四栅极多晶硅（4.4），在对应第一U形氧化硅层（3.1）左侧的外延层（2）的上表面、以及对应第一U形氧化硅层（3.1）与第二U形氧化硅层（3.2）之间的外延层（2）的上表面均设有导电类型源极区（6），在导电类型源极区（6）的上表面设有导电类型体区（7），在导电类型体区（7）的上表面、第三多晶硅（4.3）的上表面、第四栅极多晶硅（4.4）的上表面、第二源极多晶硅（4.2）的上表面以及第二U形氧化硅层（3.2）右侧的外延层（2）的上表面设有覆盖氧化硅层（3.3），在覆盖氧化硅层（3.3）的上表面设有绝缘介质层（8），在绝缘介质层（8）的上表面设有正面源极金属（9）与正面栅极金属（10），正面源极金属（9）通过其连接柱与导电类型源极区（6）以及第二源极多晶硅（4.2）相连，正面栅极金属（10）通过其连接柱与第四栅极多晶硅（4.4）相连，在衬底层（1）的下表面设有背面金属（11）。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征是：所述衬底层（1）为N+型。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征是：所述外延层（2）为N-型。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征是：所述导电类型源极区（6）为N+型。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征是：所述导电类型体区（7）为P+型。
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