[发明专利]一种提高大尺寸直拉单晶效率的方法有效
| 申请号： | 201911182250.0 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112853476B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵志远;武志军;郭谦;霍志强;郭志荣;张石晶;王胜利;韩凯 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 尺寸 直拉单晶 效率 方法 | ||
1.一种提高直拉单晶效率的方法，所述直拉单晶包括缓降温，其特征在于：在缓降温时，对应不同的晶体位置区间，设置不同的取段慢速以及慢速提升时间，且在不进行复投的缓降温基础上，对应不同的晶体位置区间，单晶炉主室内设置不同的熔硅功率；任意两对应不同晶体位置区间的单晶中，晶体位置区间相对较低的单晶与另一单晶相比较，晶体位置区间相对较低的单晶对应的取段慢速相对较快，对应的慢速提升时间相对较短，对应的所述熔硅功率相对较低；当所述晶体位置区间为0-800mm时，所述取段慢速设置为320-500mm/h，所述慢速提升时间设置为32-48min；当所述晶体位置区间为800-1500mm时，所述取段慢速设置为330-500mm/h，所述慢速提升时间设置为55-70min；当所述晶体位置区间为1500-2300mm时，所述取段慢速设置为330-450mm/h，所述慢速提升时间设置为80-100min；当所述晶体位置区间为2300-3000mm时，所述取段慢速设置为300-450mm/h，所述慢速提升时间设置为105-120min。
2.根据权利要求1所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当所述晶体位置区间为0-800mm时，所述取段慢速设置为400mm/h，所述慢速提升时间设置为40min，所述熔硅功率设置为5kw。
3.根据权利要求2所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当所述晶体位置区间为800-1500mm时，所述取段慢速设置为400mm/h，所述慢速提升时间设置为60min，所述熔硅功率设置为6kw。
4.根据权利要求3所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当所述晶体位置区间为1500-2300mm时，所述取段慢速设置为380mm/h，所述慢速提升时间设置为90min，所述熔硅功率设置为7kw。
5.根据权利要求4所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当晶体位置区间为2300-3000mm时，所述取段慢速设置为350mm/h，所述慢速提升时间设置为120min，所述熔硅功率设置为8kw。
6.根据权利要求1至5任一项所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当所述晶体位置区间为3000-3500mm时，所述取段慢速设置为280-400mm/h，所述慢速提升时间设置为110-120min。
7.根据权利要求6所述的提高直拉单晶效率的方法，其特征在于：当晶体位置区间为3000-3500mm时，所述取段慢速设置为320mm/h，所述慢速提升时间设置为120min，所述熔硅功率设置为9kw。
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