[发明专利]一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法

说明书

本发明公开了一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法，涉及发光二极管制备技术领域，针对现有兼顾主刻蚀时间选择比和刻蚀速率，造成衬底制备耗时长，制备周期长，生产效率低的问题，现提出如下方案，其包括如下具体步骤，S1,将光刻胶涂覆至蓝宝石衬底上；S2,对蓝宝石衬底上的光刻胶厚度进行测量；S3,对蓝宝石衬底进行曝光；S4,对曝光后的蓝宝石衬底进行显影；S5,对显影后的蓝宝石衬底使用玻璃温度进行烘烤；S6，对蓝宝石衬底进行蚀刻；S7，对蚀刻后的蓝宝石衬底进行清洗，本制备方法能够提高蚀刻选择比，缩短蚀刻时间，压缩蚀刻周期，提高蓝宝石衬底的制备效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管制备技术领域，尤其涉及一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法。

背景技术

蓝宝石衬底图形化是一种提高LED亮度的技术。该技术主要通过光刻制作掩模和干法刻蚀或湿法腐蚀蓝宝石工艺制作而成。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用，与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比，PSS-LED的发光功率提高了30%以上。

目前主流的衬底都是利用光刻完成后干法ICP刻蚀的工艺，目前现有黄光光刻完成后光刻胶的侧视图成柱状，ICP刻蚀的过程包括两个，主刻蚀时间+过刻蚀时间，主刻蚀是为了形成所需要的尺寸和高度，过刻蚀是为了将形貌上面的拐角等去除，形成圆滑的弧面。ICP刻蚀设备一般效率较低，刻蚀一个炉次的时间大多在40-45min左右，主要的原因就是为了兼顾主刻蚀时间选择比和刻蚀速率：刻蚀速率决定了刻蚀单炉次的时间；选择比跟单炉次时间的乘积决定图形的高度，且刻蚀速度和选择比是一对矛盾点，如何在提高刻蚀速率的前提下保证选择比成为一个刻蚀PSS一个课题；拐角的产生是由于PR柱状光刻胶上轮廓在ICP侧向刻蚀和垂直刻蚀过程中下移导致；另外，由于ICP刻蚀中等离子体的方向性是统计学的方向性，尽管垂直面子表明的在统计学上是主要占比，所以PR高度越高选择比越低、PR越垂直选择比越低。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中兼顾主刻蚀时间选择比和刻蚀速率，造成衬底制备耗时长，制备周期长，生产效率低的缺点，而提出的一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法，包括如下具体步骤，

S1,将光刻胶涂覆至蓝宝石衬底上；

S2,对蓝宝石衬底上的光刻胶厚度进行测量；

S3,对蓝宝石衬底进行曝光；

S4,对曝光后的蓝宝石衬底进行显影；

S5,对显影后的蓝宝石衬底使用玻璃温度进行烘烤；

S6，对蓝宝石衬底进行蚀刻；

S7，对蚀刻后的蓝宝石衬底进行清洗。

优选的，所述S1的具体工艺为，通过气相沉积工艺将光刻胶均匀涂覆至蓝宝石衬底上。

优选的，所述S2的具体工艺为，通过从原膜上裁剪出原膜片再把所述原膜片，粘附于离型纸或离型膜带胶表面，接着扯下所述原膜片，此时所述原膜片上粘有胶层，得到胶层原膜片，再测量所述胶层原膜片的厚度，再减去所述原膜片的厚度，即可得到胶层厚度。

优选的，所述S3的具体工艺为，用圆环外直径为1.0-3.4μm的同心圆光刻板对光刻胶进行160-210ms的曝光。