[发明专利]一种类金刚石膜玻璃的制备方法

说明书

本发明提供了一种类金刚石膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基材表面形成二氧化硅层；(2)在步骤(1)处理后的玻璃基材的二氧化硅层上形成含氢类金刚石镀膜层；(3)在步骤(2)处理后的玻璃基材的含氢类金刚石镀膜层上形成高透防指纹AF膜层。本发明的方法极大的改善了制备得到的玻璃的硬度和耐磨性，降低了亲水性，避免了水的附着而可能导致异物的沾附，而且首先在玻璃基材上形成二氧化硅层，使得含氢类金刚石镀膜层和高透防指纹AF膜层与玻璃基材之间具有很好的结合力，避免了含氢类金刚石镀膜层和高透防指纹AF膜层的脱落，而且本发明方法得到的玻璃的透光性能良好。

技术领域

本发明属于玻璃制备技术领域，具体涉及一种类金刚石膜玻璃的制备方法。

背景技术

随着社会的快速发展，玻璃也越来越普及。玻璃在应用于显示器时，在日常使用过程中，很容易产生刮擦造成表面划伤划花，而且也容易沾水，这样都会导致玻璃透光而影响视觉体验。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种类金刚石膜玻璃的制备方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种类金刚石膜玻璃的制备方法，所述方法包括以下步骤：

(1)以硅为靶材在玻璃基材表面形成二氧化硅层；

(2)在步骤(1)处理后的玻璃基材的二氧化硅层上形成含氢类金刚石镀膜层；

(3)在步骤(2)处理后的玻璃基材的含氢类金刚石镀膜层上形成高透防指纹AF膜层(AF膜)。

上述方法通过依次在玻璃基材表面形成二氧化硅层、含氢类金刚石镀膜层和高透防指纹AF膜层，极大的改善了制备得到的玻璃的硬度和耐磨性，降低了亲水性，避免了水的附着而可能导致异物的沾附，而且首先在玻璃基材上形成二氧化硅层，使得含氢类金刚石镀膜层和高透防指纹AF膜层与玻璃基材之间具有很好的结合力，避免了含氢类金刚石镀膜层和高透防指纹AF膜层的脱落，而且本发明方法得到的玻璃的透光性能良好。

优选地，所述步骤(1)中，将玻璃基材置于真空度为3.0×10^-6～6.0×10^-6mTorr的环境下，以硅为靶材通入氩气和氧气进行磁控溅射在玻璃基材表面形成二氧化硅层。

优选地，所述步骤(1)中，氩气的流量为90～110sccm，O₂的流量为28～32sccm。

发明人经过研究发现，上述的方法在形成二氧化硅层的过程中，当氩气的流量为90～110sccm，O₂的流量为28～32sccm时，既能够更好的控制二氧化硅层厚度的均匀性，而且使用的氩气和氢气的量最少。

优选地，所述步骤(1)中，磁控溅射过程中，Ar离子束入射角度为28～32度，刻蚀速率为硅靶材的功率为1.0～6.0kW。

优选地，所述步骤(2)中，将步骤(1)处理后的玻璃基材置于真空度为5.0×10^-6～8.0×10^-6mTorr的环境下，以石墨为靶材通入氩气和氢气进行磁控溅射在玻璃基材的二氧化硅层上形成含氢类金刚石镀膜层。

优选地，所述步骤(2)中，氩气的流量为18～22sccm，氢气的流量为10～30sccm。

发明人经过研究发现，上述的方法在形成含氢类金刚石镀膜层的过程中，当氩气的流量为18～22sccm，氢气的流量为10～30sccm时，既能够保证含氢类金刚石镀膜层厚度的均匀性，也能节约气体流量。

优选地，所述步骤(2)中，磁控溅射的气压为4.0～5.0mTorr，磁控溅射的电压为650～700V，磁控溅射的时间为20～30s。

优选地，所述步骤(3)中，高透防指纹AF膜层的厚度为8～12nm。