[发明专利]一种类金刚石膜玻璃的制备方法

权利要求书

1.一种类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)以硅为靶材在玻璃基材表面形成二氧化硅层；

(2)在步骤(1)处理后的玻璃基材的二氧化硅层上形成含氢类金刚石镀膜层；

(3)在步骤(2)处理后的玻璃基材的含氢类金刚石镀膜层上形成高透防指纹AF膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，将玻璃基材置于真空度为3.0×10^-6～6.0×10^-6mTorr的环境下，以硅为靶材通入氩气和氧气进行磁控溅射在玻璃基材表面形成二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，氩气的流量为90～110sccm，O₂的流量为28～32sccm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，磁控溅射过程中，Ar离子束入射角度为28～32度，刻蚀速率为硅靶材的功率为1.0～6.0kW。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，将步骤(1)处理后的玻璃基材置于真空度为5.0×10^-6～8.0×10^-6mTorr的环境下，以石墨为靶材通入氩气和氢气进行磁控溅射在玻璃基材的二氧化硅层上形成含氢类金刚石镀膜层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，氩气的流量为18～22sccm，氢气的流量为10～30sccm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，磁控溅射的气压为4.0～5.0mTorr，磁控溅射的电压为650～700V，磁控溅射的时间为20～30s。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，高透防指纹AF膜层的厚度为8～12nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在真空度为4.0×10^-6～6.0×10^-6Torr的条件下利用AF靶材形成高透防指纹AF膜层，AF靶材的材料为全氟高分子聚合物，形成高透防指纹AF膜层的功率为5.0～8.0kW。