[发明专利]一种电源线结构、功率芯片及供电模块在审
申请号: | 201910985348.3 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN112670280A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 谢育桦;何林飞;聂玉庆 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/535;H01L21/768 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源线 结构 功率 芯片 供电 模块 | ||
本发明提供了一种电源线结构、功率芯片及供电模块,涉及集成电路领域。包括输入线和输出线,输入线靠近输出线的一端设有第一连接部,输出线靠近输入线的一端设有第二连接部;第一连接部包括依次连接的多个第一子段,每一第一子段在第二方向上的平均宽度,沿第一方向依次减小;第二连接部包括依次连接的多个第二子段,每一第二子段在第二方向上的平均宽度,沿第一方向依次增大。本发明提供的电源线结构在工作时,通过将第一连接部设置为整体宽度逐渐减小,将第二连接部设置为整体宽度逐渐增大,使本发明提供的电源线结构,具有更好的电迁移特性和更均匀的电流下降和上升梯度,最终使得电源线结构具有更佳的电流承载能力。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,具体而言,涉及一种电源线结构、功率芯片及供电模块。
背景技术
LDO(low dropout regulator)是SOC芯片内的重要组成部分。其可以将芯片外部的电源电压转换为适合芯片内核数字逻辑的电源电压,其性能好坏直接影响芯片的稳定和性能。在进行LDO在设计时,为了满足供电需求,必须充分考虑其功率管组(多个沿同一方向排列且相互并联的功率管)的电源线的电流输入输出能力。目前的电源线的设计方案,多采用多条等宽金属线平行引入引出的方案(如图1所示)。这种方案,很容易满足小电流(例如100~200mA)的供电设计指标,但对大电流(例如≥400mA)的承载能力较差,很容易出现金属线电流容量不足的情况。而在金属线的铺设时,金属线与功率管组的连接部分,需要被限制在功率管组对应的铺设区域内(图1中虚线框所示区域),故而也无法通过直接增加金属线宽度的方式来提升电源线的电流承载能力。
发明内容
本发明提供了一种电源线结构、功率芯片及供电模块,旨在提供一种相较于现有方案能够对电流承载能力更佳的电源线结构。
本发明是这样实现的:
一种电源线结构,用于连接多个沿第一方向排列的功率器件,所述电源线结构包括输入线和输出线,所述输入线靠近所述输出线的一端设有第一连接部,所述输出线靠近所述输入线的一端设有第二连接部,所述第一连接部与每一所述功率器件的输入极连接,所述第二连接部与每一所述功率器件的输出极连接;
所述第一连接部包括沿第一方向依次连接的多个第一子段,每一所述第一子段在第二方向上的平均宽度,沿所述第一方向依次减小;
所述第二连接部包括沿第一方向依次连接的多个第二子段,每一所述第二子段在第二方向上的平均宽度,沿所述第一方向依次增大;
其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,每一所述第一子段在所述第二方向上的宽度处处相等;每一所述第二子段在所述第二方向上的宽度处处相等。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,任意相邻两个所述第一子段在所述第二方向上的宽度差相等;任意相邻两个所述第二子段在所述第二方向上的宽度差相等。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,相邻两个所述第一子段之间还包括第三子段,所述第三子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐减小;相邻两个所述第二子段之间还包括第四子段,所述第四子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐增大。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,所述第三子段和所述第四子段在所述第二方向上的宽度的变化率均为定值。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,每一所述第三子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等,每一所述第四子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,每一所述第一子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐减小;每一所述第二子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐增大。
进一步地,在本发明较佳的实施例中,所述第一子段和所述第二子段在所述第二方向上的宽度的变化率均为定值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的