[发明专利]一种电源线结构、功率芯片及供电模块在审
申请号: | 201910985348.3 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN112670280A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 谢育桦;何林飞;聂玉庆 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/535;H01L21/768 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源线 结构 功率 芯片 供电 模块 | ||
1.一种电源线结构,用于连接多个沿第一方向排列的功率器件,其特征在于,包括输入线和输出线,所述输入线靠近所述输出线的一端设有第一连接部,所述输出线靠近所述输入线的一端设有第二连接部,所述第一连接部与每一所述功率器件的输入极连接,所述第二连接部与每一所述功率器件的输出极连接;
所述第一连接部包括沿第一方向依次连接的多个第一子段,每一所述第一子段在第二方向上的平均宽度,沿所述第一方向依次减小;
所述第二连接部包括沿第一方向依次连接的多个第二子段,每一所述第二子段在第二方向上的平均宽度,沿所述第一方向依次增大;
其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
2.根据权利要求1所述的电源线结构,其特征在于,每一所述第一子段在所述第二方向上的宽度处处相等;每一所述第二子段在所述第二方向上的宽度处处相等。
3.根据权利要求2所述的电源线结构,其特征在于,任意相邻两个所述第一子段在所述第二方向上的宽度差相等;任意相邻两个所述第二子段在所述第二方向上的宽度差相等。
4.根据权利要求2所述的电源线结构,其特征在于,相邻两个所述第一子段之间还包括第三子段,所述第三子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐减小;相邻两个所述第二子段之间还包括第四子段,所述第四子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的电源线结构,其特征在于,所述第三子段和所述第四子段在所述第二方向上的宽度的变化率均为定值。
6.根据权利要求5所述的电源线结构,其特征在于,每一所述第三子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等,每一所述第四子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等。
7.根据权利要求1所述的电源线结构,其特征在于,每一所述第一子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐减小;每一所述第二子段在所述第二方向上的宽度沿所述第一方向逐渐增大。
8.根据权利要求7所述的电源线结构,其特征在于,所述第一子段和所述第二子段在所述第二方向上的宽度的变化率均为定值。
9.根据权利要求8所述的电源线结构,其特征在于,每一所述第一子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等,每一所述第二子段在所述第二方向上的宽度的变化率均相等。
10.根据权利要求1-9任一项所述的电源线结构,其特征在于,所述第一连接部和所述第二连接部呈中心对称。
11.一种功率芯片,其特征在于,所述功率芯片包括权利要求1-10任一项所述的电源线结构。
12.一种供电模块,其特征在于,所述供电模块包括权利要求1-10任一项所述的电源线结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的