[发明专利]一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置在审
申请号: | 201910808416.9 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN112442730A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 周海涛;张昌龙;胡章贵;李东平;左艳彬;何小玲 | 申请(专利权)人: | 桂林百锐光电技术有限公司;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;天津理工大学 |
主分类号: | C30B7/10 | 分类号: | C30B7/10;C30B29/16 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 唐智芳 |
地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温差 水热法 生长 尺寸 体单晶 装置 | ||
1.一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置,包括高压釜和对高压釜进行加热的加热炉(1),所述高压釜包括釜体(2),以及设置于釜体(2)内的水热反应容器(16),该水热反应容器(16)内存在溶解区(14)和结晶区(12),其特征在于:在釜体(2)外壁上套设有导热筒,所述的导热筒包括上导热筒(3)、下导热筒(5),以及连接上导热筒(3)和下导热筒(5)的隔热阻挡层(4),其中上导热筒(3)在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器(16)内的结晶区(12),下导热筒(5)在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器(16)内的溶解区(14),所述的上导热筒(3)和下导热筒(5)由导热性好的金属或非金属制成,所述的隔热阻挡层(4)由导热性差的材料制成。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述导热性好的金属为选自铜、铝、锌、铁及其合金中的一种。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述导热性好的非金属为石墨、氮化硅陶瓷或氮化铝陶瓷。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述导热性差的材料为隔热材料。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:所述的导热性差的材料为棉布、玻璃纤维、石棉、岩棉、硅酸盐、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化镁陶瓷或硅酸铝陶瓷。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的装置,其特征在于:所述的加热炉(1)为两段式电阻炉。
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