[发明专利]一种提高LED管芯表面洁净度的方法

权利要求书

1.一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，具体步骤包括：

（1）切割：将LED芯片切割成独立的管芯；

（2）初次高压清洗：对切割后的LED芯片进行初次高压清洗；

（3）扩膜：对初次高压清洗后的LED芯片进行扩膜；

（4）酸洗：将扩膜后的LED芯片浸入到酸洗试剂中进行清洗；

步骤（4）中，所述酸洗试剂包括冰醋酸和去离子水，所述酸洗试剂中冰醋酸与去离子水的体积比例为（1-4）：（10-28）；

（5）二次高压清洗：对酸洗后的LED芯片进行二次高压清洗；

（6）检验：对二次高压清洗后的LED芯片进行检验。

2.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，所述酸洗试剂中冰醋酸与去离子水的体积比例为3：12。

3.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（4）中，配置好的酸洗试剂温度控制在20-26℃。

4.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（4）中，将LED芯片放入到所述酸洗试剂中晃动清洗25-35下，清洗时间为25-35s。

5.根据权利要求4所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，LED芯片经过步骤（4）酸洗后，先使用去离子水晃动冲洗LED芯片背面4-6次，再使用去离子水冲洗LED芯片正面1-3min。

6.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（5）中，采用清洗机对切割后的LED芯片进行二次高压清洗，再使用氮气吹干LED芯片，二次高压清洗的时间为40-60s，氮气吹干时间为30-50s，氮气供气压力为0.4-0.6Mpa。

7.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（1）中，对LED芯片正面进行全透切割，通过横、竖两个方向的交叉切割LED芯片。

8.根据权利要求7所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（1）中，在全透切割的过程中,切割刀与LED芯片之间的距离为40-110μm，初始进刀速度为2-5mm/s，切割速度为10-50mm/s，切割槽缝宽度为20-30μm。

9.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（2）中，采用清洗机对切割后的LED芯片进行初次高压清洗，再使用氮气吹干LED芯片，初次高压清洗的时间为40-60s，氮气吹干时间为30-50s，氮气供气压力为0.4-0.6Mpa。

10.根据权利要求1-9任一所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤（3）中，先将LED芯片在加热盘上预热时间为5-10s，再进行扩膜，扩膜的温度为65-75℃，扩膜的时间为10-15s。