[发明专利]一种大尺寸KTA晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201910431941.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110055586B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李杰;闵宇涛;董胜明;逄洪雷 | 申请（专利权）人： | 山东华特知新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B7/08 |
| 代理公司： | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人： | 庞庆芳 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 kta 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸KTA晶体的制备方法，其特征在于，包括以下有效步骤：
a、调配生长溶液：将高纯度砷酸二氢钾与碳酸钾按质量比5:1.1的比列混合均匀后，在800℃加入处理好的铂金坩埚中，待反应完全后升温至1000℃加入同比例1.2的二氧化钛，1100℃烧料36h，然后恒温搅拌48h，得到均匀稳定的高浓度生长溶液；
b、籽晶的选取：选取优质晶体切割Z方向籽晶，籽晶尺寸为5(y)*6(x)*6(z)mm的柱形，其中，用于进入溶液的部分加工成类晶锥形；
c、将制备好的籽晶放入到生长溶液中并送到晶体生长炉中，控制起始生长温度为880℃～950℃，生长周期内降温180℃，周期长100天，晶体转动速率30-40rpm，待生长完成后，即可得到大尺寸KTA晶体，所述c步骤中，晶体生长炉为上、中、下三段控温，其中，上段控温高于中段温度1～2℃，中段温度高于下段温度1～2℃，下段温度起始生长温度为880℃～950℃，生长周期内降温180℃，所述c步骤中，下段温度起始生长温度为920℃，生长周期内温度为740℃。
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