[发明专利]提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法

权利要求书

1.一种提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，

所述多栅晶体管包括至少两个栅介质层，其中厚栅介质层是一次生长形成的，避免厚栅介质层多次生长过程中引起的厚栅介质层性能降低。

2.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，在厚栅介质层形成过程中，避免厚栅介质层表面接触光刻胶；厚栅介质层生长形成后直接覆盖导电栅层，提高厚栅介质层的性能。

3.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，先形成厚栅介质层，在所述厚栅介质层上覆盖导电栅层，图形化工艺去除薄栅区域对应的导电栅层、厚栅介质层，并在薄栅区域形成薄栅介质层；

通过厚栅介质层上的导电栅层保护厚栅介质层，避免在薄栅介质层生长过程中对厚栅介质层的损伤。

4.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，先形成薄栅介质层，在所述薄栅介质层上覆盖第一导电栅层，图形化工艺去除厚栅区域对应的第一导电栅层、薄栅介质层，并在厚栅区域形成厚栅介质层，再覆盖第二导电栅层；

其中厚栅介质层是一次生长形成的，避免厚栅介质层多次生长过程中引起的厚栅介质层性能降低。

5.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，所述栅介质层的材质为SiO₂，SiN，SiON，SiC, SiNC, SiONC中的任意一种或多种组合。

6.如权利要求2所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，所述导电栅层的材质为多晶硅或金属。

7.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，所述厚栅介质层的厚度可以根据需要进行调节。

8.如权利要求1所述的提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，其特征在于，所述厚栅介质层为图像传感器中的源跟随晶体管，转移晶体管，复位晶体管，选择晶体管中至少一个的栅介质层。