[发明专利]晶圆检测缺陷的分类方法

说明书

本发明公开了一种晶圆检测缺陷的分类方法，包括如下步骤：步骤一、晶圆上用于形成多个芯片，根据版图定义出各芯片的各功能模块的地址空间；步骤二、进行缺陷检测并记录各缺陷的地址；步骤三、将各缺陷的地址和步骤一中的各功能模块的地址空间进行比对，用所对应的功能模块的代码来表示缺陷从而实现缺陷分类。本发明能将缺陷和晶圆的芯片的失效分析过程中的失效测试现象实现明确对应，方便芯片的失效分析。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种晶圆检测缺陷的分类方法。

背景技术

半导体集成电路芯片通常形成在晶圆上，晶圆通常为硅衬底晶圆。芯片在生产过程中包括多个工艺步骤，各工艺步骤形成对应的工艺层，在各工艺层之后通常会进行在线缺陷检测。

通常，在检测到缺陷之后，还需要对缺陷进行分类，这样能够方便对异常机台进行调查以及能辅助良率分析。

现有技术中，对缺陷进行分类的方法主要是按照缺陷的形状、特性或大小进行分类。其中缺陷的形状包括颗粒、水渍和残留等，残留如金属残留和介质层残留等。缺陷的特性包括短路和断路，具有短路特性的缺陷能使对应的电路短路，具有断路特性的缺陷能使对应的电路短路。

但是，上述现有缺陷分类的方法仅是根据缺陷本身的形状、特性或大小进行分类，无法和芯片的电路相关联，当在芯片的失效分析过程中检测到失效测试现象时，并不能将失效测试现象与对应的缺陷进行明确对应。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆检测缺陷的分类方法，能将缺陷和晶圆的芯片的失效分析过程中的失效测试现象实现明确对应，方便芯片的失效分析。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆检测缺陷的分类方法包括如下步骤：

步骤一、晶圆上用于形成多个芯片，各所述芯片包括多个功能模块，根据版图定义出各所述芯片的各所述功能模块的地址空间。

步骤二、对所述晶圆进行缺陷检测，记录所检测到的各所述缺陷的地址。

步骤三、将各所述缺陷的地址和步骤一中的各所述功能模块的地址空间进行比对，当所述缺陷位于对应的所述功能模块的地址空间时，用所对应的所述功能模块的代码来表示所述缺陷，从而实现对所述缺陷的分类。

进一步的改进是，所述晶圆为硅晶圆。

进一步的改进是，所述芯片为产品芯片。

进一步的改进是，所述芯片的功能模块包括：电源(VR)模块，输入输出(IO)模块，解码器(Decoder)模块，串口多路复用(CMUX)模块，闪存单元(Flash Cell)阵列模块，灵敏放大器(SA)模块，内建自测试(BIST)模块，用户逻辑(User Logic)模块，静态随机存储器(SRAM)模块。

进一步的改进是，步骤一中还包括定义出所述版图上的原点的步骤。

进一步的改进是，步骤二中对应所述晶圆进行扫描时扫描空间的原点和所述版图上的原点一致。

进一步的改进是，步骤二中对所述晶圆进行在线缺陷检测。

进一步的改进是，形成所述芯片的步骤包括多步，相应的生产步骤形成对应的工艺层，在所述芯片的对应的工艺层形成之后进行步骤二的缺陷检测。

进一步的改进是，前后工艺层之间具有对准关系。

进一步的改进是，后续还包括步骤：根据步骤三对所述缺陷的分类，来辅助所述芯片产品的良率分析。

进一步的改进是，所述缺陷的种类包括颗粒，水渍，残留，划伤，倒胶，图形缺失。

进一步的改进是，所述缺陷的特性包括短路和断路。