[发明专利]晶圆检测缺陷的分类方法有效

专利信息
申请号: 201910089873.7 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN109817540B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 吴苑 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 检测 缺陷 分类 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一、晶圆上用于形成多个芯片,各所述芯片包括多个功能模块,根据版图定义出各所述芯片的各所述功能模块的地址空间;

步骤二、对所述晶圆进行缺陷检测,记录所检测到的各所述缺陷的地址;

步骤三、将各所述缺陷的地址和步骤一中的各所述功能模块的地址空间进行比对,当所述缺陷位于对应的所述功能模块的地址空间时,用所对应的所述功能模块的代码来表示所述缺陷,从而实现对所述缺陷的分类。

2.如权利要求1所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:所述晶圆为硅晶圆。

3.如权利要求2所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:所述芯片为产品芯片。

4.如权利要求3所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:所述芯片的功能模块包括:电源模块,输入输出模块,解码器模块,串口多路复用模块,闪存单元阵列模块,灵敏放大器模块,内建自测试模块,用户逻辑模块,静态随机存储器模块。

5.如权利要求1所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:步骤一中还包括定义出所述版图上的原点的步骤。

6.如权利要求5所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:步骤二中对应所述晶圆进行扫描时扫描空间的原点和所述版图上的原点一致。

7.如权利要求3所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:步骤二中对所述晶圆进行在线缺陷检测。

8.如权利要求7所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:形成所述芯片的步骤包括多步,相应的生产步骤形成对应的工艺层,在所述芯片的对应的工艺层形成之后进行步骤二的缺陷检测。

9.如权利要求8所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:前后工艺层之间具有对准关系。

10.如权利要求3所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:后续还包括步骤:根据步骤三对所述缺陷的分类,来辅助所述芯片产品的良率分析。

11.如权利要求1所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:所述缺陷的种类包括颗粒,水渍,残留,划伤,倒胶,图形缺失。

12.如权利要求11所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:所述缺陷的特性包括短路和断路。

13.如权利要求1所述的晶圆检测缺陷的分类方法,其特征在于:步骤二中的所述缺陷检测的设备包括KLA缺陷检测设备。

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