[发明专利]高功率宽频带照明源

权利要求书

1.一种设备，其包括：

腔室，其经配置以容纳一定量的缓冲气体；

目标材料源，其定位于所述腔室的第一侧上；

碎屑收集器，其定位于所述腔室的与所述目标材料源相对的第二侧上，

其中所述目标材料源经配置以将目标材料流输送通过所述腔室的等离子体形成区域，其中所述碎屑收集器经配置以收集目标材料；

泵源，其经配置以将泵辐射输送到所述腔室的所述等离子体形成区域，其中所述泵辐射足以经由通过激发所述腔室的所述等离子体形成区域内的所述目标材料形成等离子体来产生宽频带辐射；

一或多个聚焦光学元件，其经配置以将所述泵辐射聚焦到所述等离子体形成区域中；及

一或多个反射收集光学元件，其经配置以从所述等离子体收集所述宽频带辐射的一部分且通过所述腔室的壁中的孔隙将所述宽频带辐射的所述部分输送到所述腔室外的一或多个光学元件。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述宽频带辐射包括：

真空紫外线VUV或深紫外线DUV辐射中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵源、所述一或多个聚焦光学元件及所述反射收集光学元件经配置使得所述宽频带辐射具有比所述泵辐射的NA高的数值孔径。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵源、所述一或多个聚焦光学元件及所述反射收集光学元件经配置使得所述宽频带辐射具有比所述泵辐射的NA低的数值孔径。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述腔室的所述壁中的所述孔隙是无窗的。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述目标材料流包括：

液体目标材料流、固体目标材料流或所述目标材料的一系列液滴中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述目标材料源经配置以按10m/s到300m/s之间的速度输送所述目标材料流。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述目标材料流具有10μm到2000μm之间的直径。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述目标材料包括：

氩、氙、氖或氦中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述目标材料包括：

含有氩、氙、氖或氦中的至少一者的混合物。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述缓冲气体包括：

惰性气体。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述缓冲气体与所述目标材料相同。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述缓冲气体与所述目标材料不同。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述腔室经配置以按0.1atm到2.0atm之间的压力容纳所述气体。

15.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵源包括：

连续波CW激光、脉冲激光或调制CW激光中的至少一者。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述泵源经配置以产生具有100纳秒到1000纳秒的脉冲间隔的泵辐射。

17.根据权利要求15所述的设备，其中所述泵源经配置以按3kW到100kW之间的功率产生泵辐射。

18.根据权利要求15所述的设备，其中所述泵源经配置以产生具有大于10⁵W/cm²的峰值激光强度的泵辐射。