[实用新型]一种CVD金刚石辐照探测器的封装体有效
| 申请号： | 201821727169.7 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN209117880U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘金龙;郭彦召;李成明;郑宇亭;原晓芦;安康;魏俊俊;陈良贤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01T1/16 | 分类号： | G01T1/16 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探测器 金刚石 辐照 封装体 中间绝缘层 电极 绝缘性 上下层 陶瓷基印刷电路板 陶瓷基PCB板 本实用新型 电路损耗 二次利用 金线键合 螺钉固定 螺钉连接 响应信号 暗电流 层结构 金属化 拆装 端盖 盖帽 键合 封装 噪声 电路 损伤 组装 并用 侧面 保证 | ||
1.一种CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于：包括上下层陶瓷基印刷电路板PCB、中间绝缘层、上下层端盖、金属化后的CVD金刚石探测器；中间绝缘层位于上下层陶瓷基印刷电路板PCB之间，金属化后的CVD金刚石探测器位于中间绝缘层中间的方孔内。
2.如权利要求1所述的一种CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于：CVD金刚石辐射探测器表面金属化材料为Cr+Au金属层，其中Cr的厚度10-50nm，Au的厚度80-200nm，且需要在高温下退火处理。
3.如权利要求1所述的一种CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于：所述上下层陶瓷基印刷电路板PCB板为单面中心开孔陶瓷基板，且中心开孔周围布置有一定尺寸的矩形或圆形金属导电层，并由该金属导电层向四周辐射4路导电层；导电层基底金属铜厚度为20um，表面经镍钯金处理，镍钯金镀层厚度达到1μm。
4.如权利要求1所述CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于，介于上下两层PCB板之间的绝缘层材料，厚度与CVD金刚石探测器相当。
5.如权利要求1或3所述CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于：CVD金刚石探测器两侧金属层通过金引线与上下层PCB板导电层连接，并且金刚石上下表面电极分别单独走线到上下两个PCB板。
6.如权利要求1或3所述CVD金刚石辐照探测器的封装体，其特征在于：CVD金刚石辐射探测器、上下PCB板，中间绝缘层形成的器件组装后通过上下添加聚酰亚胺盖帽进行保护，且通过8个贯穿整个器件的通孔采用螺钉固定。
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