[发明专利]一种金刚石/碳化硅预制件及金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法在审
申请号: | 201810738083.2 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN108821775A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 唐健江;王鹏冲 | 申请(专利权)人: | 西安航空学院 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/634;C04B35/636 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710077 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚石 碳化硅预制件 铝复合材料 碳化硅 制备 金刚石微粉 弹性模量 功率IGBT模块 混合集成电路 金刚石预制件 差压铸造炉 多芯片组件 微电子领域 毫米波 混合粉体 金刚石粉 铝合金液 膨胀系数 气密性好 碳化硅粉 烧结 大电流 可调节 热导率 粘结剂 质量比 浸渗 生坯 集成电路 应用 | ||
1.一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,将碳化硅粉和金刚石粉以5:2的质量比进行混合,混合均匀后再加入高岭土,继续混合均匀后得到金刚石微粉,其中,高岭土的质量占金刚石微粉总质量的1%~2%;
第二步,向金刚石微粉中加入粘结剂,得到混合粉体,其中,粘结剂与金刚石微粉的质量比为1:2;
第三步,利用上述所得的混合粉体制备金刚石粉料,接着将所得的金刚石粉料进行过筛造粒,之后利用模压成型方法制备所得金刚石预制件生坯;
第四步,将上述所得金刚石预制件生坯烧结制得金刚石/碳化硅预制件。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第一步中,碳化硅粉的粒度为600~800目,金刚石粉的粒度为1000~1500目。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第一步中,所述粘接剂的制备方法是:
在搅拌状态下,向蒸馏水中加入聚乙烯醇、羟丙基甲基纤维素和淀粉,并搅拌至充分溶解,得到混合液,之后将所得的混合液经过40~60目不锈钢进行过滤除杂后,得到粘接剂;其中,蒸馏水、聚乙烯醇、羟丙基甲基纤维素和淀粉的质量比为(48~67):(30~45):(2~5):(1~2)。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第四步中,将金刚石预制件生坯置于烧结炉中进行烧结,烧结的工艺参数:在惰性气体保护下,以(0.3~2)℃/min的速率阶梯加热至1200~1250℃,恒温2~4h。
5.一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,在差压铸造炉中,将铝合金液浸渗到由权利要求1-4中任一项所述制备方法制备所得的金刚石/碳化硅预制件上,即得金刚石/碳化硅/铝复合材料,其中,铝合金液和金刚石/碳化硅预制件的体积比为(25~55):(55~75)。
6.根据权利要求5所述的一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,差压铸造炉中的工艺条件是:
第一步,将金刚石/碳化硅预制件放入差压铸造炉的上压室,加热至700~900℃,恒温2~4h;
第二步,分别对上、下压室进行抽真空,使上、下压室内的压力均为0~-0.01Pa后,保压10~15min后,关闭进气孔阀门,关闭上压室;
第三步,分别向下压室式和向上压室施加压力;使下压室坩埚中的铝合金液通过升液管压入到上压室的金刚石/碳化硅预制件上,并保持压力5~10min;
第四步,待铝液完全浸渗到金刚石预制件中后,上压室温度降至450~500℃,接着卸压、脱模,最终得到金刚石/碳化硅/铝复合材料。
7.根据权利要求5所述的一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,第三步中,下压室施加的压力为15~20MPa;上压室施加的压力为10~15MPa。
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