[发明专利]一种金刚石/碳化硅预制件及金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810738083.2 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN108821775A 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 唐健江;王鹏冲 申请(专利权)人: 西安航空学院
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B35/634;C04B35/636
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710077 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 金刚石 碳化硅预制件 铝复合材料 碳化硅 制备 金刚石微粉 弹性模量 功率IGBT模块 混合集成电路 金刚石预制件 差压铸造炉 多芯片组件 微电子领域 毫米波 混合粉体 金刚石粉 铝合金液 膨胀系数 气密性好 碳化硅粉 烧结 大电流 可调节 热导率 粘结剂 质量比 浸渗 生坯 集成电路 应用
【权利要求书】:

1.一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,将碳化硅粉和金刚石粉以5:2的质量比进行混合,混合均匀后再加入高岭土,继续混合均匀后得到金刚石微粉,其中,高岭土的质量占金刚石微粉总质量的1%~2%;

第二步,向金刚石微粉中加入粘结剂,得到混合粉体,其中,粘结剂与金刚石微粉的质量比为1:2;

第三步,利用上述所得的混合粉体制备金刚石粉料,接着将所得的金刚石粉料进行过筛造粒,之后利用模压成型方法制备所得金刚石预制件生坯;

第四步,将上述所得金刚石预制件生坯烧结制得金刚石/碳化硅预制件。

2.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第一步中,碳化硅粉的粒度为600~800目,金刚石粉的粒度为1000~1500目。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第一步中,所述粘接剂的制备方法是:

在搅拌状态下,向蒸馏水中加入聚乙烯醇、羟丙基甲基纤维素和淀粉,并搅拌至充分溶解,得到混合液,之后将所得的混合液经过40~60目不锈钢进行过滤除杂后,得到粘接剂;其中,蒸馏水、聚乙烯醇、羟丙基甲基纤维素和淀粉的质量比为(48~67):(30~45):(2~5):(1~2)。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石/碳化硅预制件的制备方法,其特征在于,第四步中,将金刚石预制件生坯置于烧结炉中进行烧结,烧结的工艺参数:在惰性气体保护下,以(0.3~2)℃/min的速率阶梯加热至1200~1250℃,恒温2~4h。

5.一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1,在差压铸造炉中,将铝合金液浸渗到由权利要求1-4中任一项所述制备方法制备所得的金刚石/碳化硅预制件上,即得金刚石/碳化硅/铝复合材料,其中,铝合金液和金刚石/碳化硅预制件的体积比为(25~55):(55~75)。

6.根据权利要求5所述的一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,差压铸造炉中的工艺条件是:

第一步,将金刚石/碳化硅预制件放入差压铸造炉的上压室,加热至700~900℃,恒温2~4h;

第二步,分别对上、下压室进行抽真空,使上、下压室内的压力均为0~-0.01Pa后,保压10~15min后,关闭进气孔阀门,关闭上压室;

第三步,分别向下压室式和向上压室施加压力;使下压室坩埚中的铝合金液通过升液管压入到上压室的金刚石/碳化硅预制件上,并保持压力5~10min;

第四步,待铝液完全浸渗到金刚石预制件中后,上压室温度降至450~500℃,接着卸压、脱模,最终得到金刚石/碳化硅/铝复合材料。

7.根据权利要求5所述的一种金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法,其特征在于,第三步中,下压室施加的压力为15~20MPa;上压室施加的压力为10~15MPa。

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