[发明专利]一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法

说明书

本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl₂·2H₂O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn₆O₄(OH)₄，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。

技术领域

本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。

背景技术

场效应晶体管(Field-Effect Transistor，简称FET)，是一种在显示器中应用广泛的半导体器件，多用作主动式矩阵液晶显示屏(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)像素电路的重要元件。

场效应晶体管可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(JGFET)两大类，而在绝缘栅型场效应管中最常见的是MOS场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,简称MOSFET)，它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上，一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是称之为场效应管的原因。常规P型沟道层的场效应晶体管的结构示意图如图1所示，由源极01，栅极02，金属层03，漏极04，氧化层05和半导体06构成。单晶SnO一般用于P型半导体的沟道层，大尺寸单晶SnO可以使场效应晶体管具有较高的迁移率以及良好的稳定性。但现有的技术很难制取尺寸大于100μm的单晶SnO。

发明内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的单晶氧化亚锡。

本发明目的通过以下技术方案实现：

一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法，包括如下制备步骤：

将SnCl₂·2H₂O(二水合氯化亚锡)溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn₆O₄(OH)₄，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。

优选地，所述酸溶液是指浓度为0.16～0.2mol/L的稀盐酸。

优选地，所述碱性溶液是指NaOH溶液。

优选地，所述将SnCl₂·2H₂O溶解在酸溶液中后所得溶液的pH值范围为0.7～1.2。

优选地，所述加热处理的温度为90℃。

优选地，所述分离是指离心分离；所述洗涤是指依次用乙醇和去离子水洗涤；所述干燥是指真空抽滤干燥。

一种大尺寸单晶氧化亚锡，通过上述方法制备得到，所得单晶氧化亚锡尺寸大于200μm。

本发明的制备方法及所得到的产物具有如下优点及有益效果：

本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，这种方法操作简单，所需原料以及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。