[发明专利]一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法有效
| 申请号： | 201810527383.6 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108777250B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;邓培淼;谢伟广;姚日晖;周尚雄;何锐辉;章红科;邓宇熹;卢宽宽;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/24 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 氧化 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
将SnCl2·2H2O 溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH 值范围为11.5~12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡；所述单晶氧化亚锡的尺寸大于200μm；
所述酸溶液是指浓度为0.16~0.2mol/L 的稀盐酸；所述将SnCl2·2H2O 溶解在酸溶液中后所得溶液的pH 值范围为0.7~1.2；
所述加热处理的温度为90℃。
2.根据权利要求1 所述一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法，其特征在于：所述碱性溶液是指NaOH 溶液。
3.根据权利要求1 所述一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法，其特征在于：所述分离是指离心分离；所述洗涤是指依次用乙醇和去离子水洗涤；所述干燥是指真空抽滤干燥。
4.一种大尺寸单晶氧化亚锡，其特征在于：通过权利要求1~3 任一项所述的方法制备得到，所得单晶氧化亚锡尺寸大于200μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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