[发明专利]一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法有效
| 申请号： | 201810163115.0 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108360064B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 武迪;陈贞君;郑大平;朱瑞;肖景阳 | 申请（专利权）人： | 湖北碳六科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20;C30B30/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 443400 湖北省宜*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mpcvd 制备 金刚石 稳定性 方法 | ||
1.一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法，采用MPCVD制备单晶金刚石，所述MPCVD包括微波输出系统、波导管、石英玻璃、反应腔室、真空抽气系统和尾气处理系统，所述反应腔室内设有水冷基片台和耐高温金属样品台，单晶金刚石籽晶位于所述耐高温金属样品台上，其特征在于：在所述耐高温金属样品台上放置单晶金刚石籽晶的位置开一个略小于单晶金刚石长宽尺寸的小槽，滴入适量的液态金属直至铺满小槽，将单晶金刚石籽晶放置在小槽上盖住液态金属，确保单晶金刚石籽晶与液态金属接触面积至少大于单晶金刚石籽晶的1/2；保证所述单晶金刚石籽晶正面没有被从小槽内溢出的液态金属遮挡；往反应腔室内通入一定流量的氢气和含碳气源，在一定的工作气压条件下，使用微波将含碳气源电离为含碳活性基团，在单晶金刚石籽晶表面实现同质外延生长。
2.根据权利要求1所述的一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法，其特征在于：先在耐高温金属样品台上放置单晶金刚石籽晶的位置开一个略大于单晶金刚石籽晶长宽尺寸的大槽，再在大槽底部中心开所述小槽；大槽的槽深小于单晶金刚石籽晶的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法，其特征在于：所述小槽为对称图形。
4.根据权利要求3所述的一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法，其特征在于：所述液态金属在室温20℃到单晶金刚石沉积温度上限1500℃这个区间范围内保持液态。
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