[发明专利]具有强化的RF功率传输的陶瓷加热器

说明书

本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。

背景

技术领域

本发明的实施例大体涉及半导体处理腔室；更具体地，涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。

背景技术

半导体处理涉及众多不同的化学和物理工艺以在基板上建立微型集成电路。构成集成电路的材料层由包含化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长及诸如此类的处理所制成。使用光刻胶掩模和湿式或干式蚀刻技术将一些材料层图案化。用于形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其他合适材料。

在集成电路的制造中，等离子体处理通常用于各种材料层的沉积或蚀刻。相较于热处理，等离子体处理提供了众多优势。举例而言，与在类似的热处理中可实现的相比，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积处理在更低温度且在更高沉积速率下进行。因此，PECVD对于具有严格热预算的集成电路制造是有利的，如用于极大规模或超大规模集成电路(VLSI或ULSI)器件制造。

在这些处理中使用的处理腔室典型地包含具有如静电吸盘(ESC)的基板支撑件的基板支撑组件，基板支撑件设置于基板支撑组件中以在处理期间固定基板。基板支撑组件可包含嵌入至基板支撑件中的射频(RF)电极和将RF电极连接至参考电压(如接地)的杆，以让RF电流从RF电极行进至参考电压。一般而言，杆由镍(Ni)制成，其产生热，导致基板支撑件的顶表面上的热点并且进而导致形成在基板上的层中的厚度不均匀，基板设置在基板支撑件的顶表面上。

因此，需要改善的基板支撑组件。

发明内容

在一个实施例中，基板支撑组件包含基板支撑件、连接至基板支撑件的心轴和设置在心轴内的第一杆。第一杆由钛或由涂覆有金、银、铝或铜的镍制成。

在另一个实施例中，基板支撑组件包含基板支撑件、连接至基板支撑件的心轴和设置在心轴内的杆。杆包含具有第一直径的第一部分和具有第二直径的第二部分。第二直径大于第一直径。

在另一个实施例中，基板支撑组件包含基板支撑件、连接至基板支撑件的心轴、嵌入至基板支撑件中的射频电极和设置在心轴内的第一杆。第一杆连接至射频电极。基板支撑组件进一步包含设置在心轴内的第二杆，并且第二杆连接至射频电极。基板支撑组件进一步包含设置在心轴内的连接构件。连接构件连接至第一杆和第二杆。

附图说明

上文简要总结的本公开的更具体描述可参考实施例(这些实施例其中一些实施例在附图中示出)，以便可更仔细了解本公开的上述特征。然而，应注意到附图仅图示说明示例性实施例，因而不应被视为本公开范围的限制；本公开可允许其他等效实施例。

图1示出根据本文所描述的实施例的等离子体处理腔室的示意性横截面图。

图2示出根据本文所描述的实施例的设置在图1的等离子体处理腔室中的基板支撑组件的示意性横截面图。

图3示出根据本文所描述的实施例的接触件的示意性横截面图。

图4示出根据本文所描述的另一个实施例的设置在图1的等离子体处理腔室中的基板支撑组件的示意性横截面图。

图5示出根据本文所描述的另一个实施例的设置在图1的等离子体处理腔室中的基板支撑组件的示意性横截面图。