[实用新型]一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子

权利要求书

1.一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，包含并排设置的第一功率端子(1)和第二功率端子(2)，其特征在于在第一功率端子(1)和第二功率端子(2)中，具体结构是：

包括第一接触部分(41)和第二接触部分(42)，分别属于第一功率端子(1)和第二功率端子(2)，且第一接触部分(41)和第二接触部分(42)的上表面位于同一平面；

包括第一叠层部分(51)，与第一功率端子(1)的第一接触部分(41)连接；

包括第二叠层部分(52)，与第二功率端子(2)的第二接触部分(42)连接；

其中，两个叠层部分(51,52)相互平行布置且不接触；

包括多个第一折弯结构(61)，连接在第一功率端子(1)的第一叠层部分(51)和属于第一功率端子(1)的第一引脚(71)之间；

包括多个第二折弯结构(62)，连接在第二功率端子(2)的第二叠层部分(52)和属于第二功率端子(2)的第二引脚(72)之间。

2.根据权利要求1所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：所述的叠层部分(51,52)均垂直于接触部分(41,42)，或者均平行于接触部分(41,42)。

3.根据权利要求1所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：属于第一功率端子(1)的第一引脚(71)及其第一折弯结构(61)分为两部分，两部分分别布置连接到第一叠层部分(51)沿第一方向(81)的两端，并且两部分的第一引脚(71)及其第一折弯结构(61)的数量相同并且以所述功率半导体模块端子整体的中线对称布置，所有第一引脚(71)布置于沿与第一方向(81)平行的同一直线上；

属于第二功率端子(2)的第二引脚(72)及其第二折弯结构(62)分为两部分，两部分分别布置连接到第二叠层部分(52)沿第一方向(81)的两处，两部分的第二引脚(72)及其第二折弯结构(62)均位于第一引脚(71)及其第一折弯结构(61)两部分之间，并且两部分的第二引脚(72)及其第二折弯结构(62)的数量相同并且以所述功率半导体模块端子整体的中线对称布置，所有第二引脚(72)布置于沿与第一方向(81)平行的同一直线上。

4.根据权利要求3所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：所有第二引脚(72)与所有第一引脚(71)均布置于沿与第一方向(81)平行的同一直线上。

5.根据权利要求1所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：相邻的第一引脚(71)与第二引脚(72)之间的最小间距(93)范围为1至4mm，属于同一功率端子(1,2)的引脚(71,72)之间的间距(94)范围为0.5至3mm，且第一引脚(71)与第二引脚(72)之间的最小间距(93)大于属于同一功率端子(1,2)的引脚(71,72)之间的间距(94)。

6.根据权利要求1所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：在安装所述功率半导体模块端子的DCB衬底(10)上设置有第一金属敷层(101)和第二金属敷层(102)：第一金属敷层(101)对称布置于DCB衬底(10)两侧，第一金属敷层(101)与第一引脚(71)通过焊接方式连接；第二金属敷层(102)布置于两侧的第一金属敷层(101)中间，第二金属敷层(102)与第二引脚(72)通过焊接方式连接。

7.根据权利要求1所述的一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子，其特征在于：所述的第一叠层部分(51)在第一方向(81)上的长度(91)由属于第一功率端子(1)的第一引脚(71)定义，长度(91)为属于第一功率端子(1)两侧边沿处的第一折弯结构(61)外边缘之间的距离；所述的第二叠层部分(52)在第一方向(81)上的长度(92)由第二引脚(72)的第二折弯结构(62)和第二接触部分(42)定义，长度(92)至少为属于第二功率端子(2)且较远离第二接触部分(42)一侧边沿处的第二折弯结构(62)外边缘到第二接触部分(42)外边缘之间的距离。