[实用新型]一种实现可控硅功率放大的控制装置有效
| 申请号： | 201720706232.8 | 申请日： | 2017-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN207022267U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 傅玉建 | 申请（专利权）人： | 上海欧切斯实业有限公司 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02;H05B33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 可控硅 功率 放大 控制 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现可控硅功率放大的控制装置，其特征是，包括单片机(1)、可控硅驱动电路(2)以及
用于将输入的交流市电转换为直流电源供给单片机(1)的AC-DC电源模块(3)；
用于转换前级可控硅信号并向单片机(1)输入模拟信号的可控硅信号输入模块(4)；
用于确定交流电源过零点的同步信号并发送给单片机(1)中断口的交流电过零检测电路(5)；
用于将低压直流与高压交流隔离的光电耦合器(6)；
用于为前级可控硅提供最小维持电流并保证可控硅信号输入模块(4)中电路转换模拟信号稳定的负载电路(7)；
所述的AC-DC电源模块(3)、可控硅信号输入模块(4)、交流电过零检测电路(5)、光电耦合器(6)均与单片机(1)连接，所述的光电耦合器(6)与可控硅驱动电路(2)连接，所述的负载电路(7)与可控硅信号输入模块(4)连接。
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