[实用新型]图像传感器芯片尺寸封装

说明书

技术领域

本文档的各方面整体涉及图像传感器半导体封装。更具体的实施方式涉及芯片尺寸互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)半导体封装。

背景技术

图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器用于多种设备中，包括智能电话、数码相机、夜视设备、医疗成像器和许多其他设备。目前使用的是利用电荷耦合器件(CCD)和CMOS架构的传统半导体成像器。存在芯片尺寸封装(CSP)，并且有时由封装相对于封装管芯的尺寸来定义。

实用新型内容

本实用新型解决的一个技术问题是改进图像传感器芯片尺寸封装。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器芯片尺寸封装CSP，其特征在于包括：具有像素阵列的半导体晶圆；穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第一腔，所述第一腔包括第一填充材料，其中所述一个或多个层和所述第一填充材料中的一者被平面化以形成所述第一填充材料的第一表面，所述第一填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面；以及透明盖，使用以下项中的一者被接合到所述第一填充材料上方以及所述一个或多个层上方：所述透明盖和钝化氧化物之间的熔合接合；以及所述透明盖和抗反射涂层之间的熔合接合。

在一个实施例中，粘合剂不被用于将所述透明盖接合到所述第一填充材料上方以及所述一个或多个层上方。

在一个实施例中，所述抗反射涂层(ARC)被耦接到所述钝化氧化物上方。

在一个实施例中，所述抗反射涂层(ARC)被耦接到有机层上方。

在一个实施例中，所述一个或多个层通过化学机械抛光(CMP)被平面化。

在一个实施例中，所述第一填充材料包括氧化物。

在一个实施例中，所述图像传感器芯片尺寸封还包括形成在所述透明盖中的腔和透镜中的一者。

在一个实施例中，所述图像传感器CSP包括多个堆叠的半导体晶圆。

在一个实施例中，所述图像传感器芯片尺寸封装还包括穿过所述一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第二腔，并且所述第二腔用所述第一填充材料和第二填充材料中的一者填充。

在一个实施例中，所述第一填充材料的所述第一表面与和所述图像传感器CSP的滤色器阵列(CFA)相交的平面共面。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器芯片尺寸封装CSP，其特征在于包括：具有像素阵列的半导体晶圆；穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第一腔，所述第一腔用填充材料填充，其中所述一个或多个层和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面，所述填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面；以及透明盖，通过所述填充材料上方的有机粘合剂接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。

在一个实施例中，所述一个或多个层通过化学机械抛光(CMP)被平面化。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器芯片尺寸封装(CSP)，包括：具有像素阵列的半导体晶圆；穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者形成的第一腔，所述第一腔用填充材料填充，其中所述一个或多个层和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面，所述填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面；以及透明盖，通过所述透明盖的第一金属化表面与耦接到所述半导体晶圆上方的金属化层的接合被接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。

在一个实施例中，粘合剂不被用于将所述透明盖接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。

在一个实施例中，所述第一金属化表面包括在特定位置的氧化物，所述特定位置与包括在所述金属化层中的氧化物的特定位置相对应。

本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的图像传感器芯片尺寸封装。

对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式以及附图并通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。

附图说明

将在下文中结合附图来描述各实施方式，其中类似标号表示类似元件，并且：

图1是用于形成图像传感器芯片尺寸封装(CSP)的组件的实施方式的侧面剖视图；

图2是示出图像传感器CSP的透明盖和其他元件之间的多个接合备选的视图；

图3是用于形成图像传感器CSP的组件的实施方式的侧面剖视图；

图4是用于形成图像传感器CSP的组件的实施方式的侧面剖视图；