[实用新型]图像传感器芯片尺寸封装有效
申请号: | 201720637279.3 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN207068853U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | S·伯萨克 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 芯片 尺寸 封装 | ||
1.一种图像传感器芯片尺寸封装,其特征在于包括:
具有像素阵列的半导体晶圆;
穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第一腔,所述第一腔包括第一填充材料,其中所述一个或多个层和所述第一填充材料中的一者被平面化以形成所述第一填充材料的第一表面,所述第一填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面;以及
透明盖,使用以下项中的一者被接合到所述第一填充材料上方以及所述一个或多个层上方:
所述透明盖和钝化氧化物之间的熔合接合;以及
所述透明盖和抗反射涂层之间的熔合接合。
2.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中粘合剂不被用于将所述透明盖接合到所述第一填充材料上方以及所述一个或多个层上方。
3.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述抗反射涂层(ARC)被耦接到所述钝化氧化物上方。
4.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述抗反射涂层(ARC)被耦接到有机层上方。
5.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述一个或多个层通过化学机械抛光(CMP)被平面化。
6.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述第一填充材料包括氧化物。
7.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其特征在于还包括形成在所述透明盖中的腔和透镜中的一者。
8.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述图像传感器CSP包括多个堆叠的半导体晶圆。
9.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其特征在于还包括穿过所述一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第二腔,并且所述第二腔用所述第一填充材料和第二填充材料中的一者填充。
10.根据权利要求1所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述第一填充材料的所述第一表面与和所述图像传感器CSP的滤色器阵列(CFA)相交的平面共面。
11.一种图像传感器芯片尺寸封装CSP,其特征在于包括:
具有像素阵列的半导体晶圆;
穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者的第一腔,所述第一腔用填充材料填充,其中所述一个或多个层和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面,所述填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面;以及
透明盖,通过所述填充材料上方的有机粘合剂接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。
12.根据权利要求11所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述一个或多个层通过化学机械抛光(CMP)被平面化。
13.一种图像传感器芯片尺寸封装(CSP),包括:
具有像素阵列的半导体晶圆;
穿过耦接在所述半导体晶圆上方的一个或多个层和所述半导体晶圆中的一者形成的第一腔,所述第一腔用填充材料填充,其中所述一个或多个层和所述填充材料中的一者被平面化以形成所述填充材料的第一表面,所述填充材料的第一表面与所述一个或多个层的第一表面共面;以及
透明盖,通过所述透明盖的第一金属化表面与耦接到所述半导体晶圆上方的金属化层的接合被接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。
14.根据权利要求13所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中粘合剂不被用于将所述透明盖接合到所述填充材料上方以及所述一个或多个层上方。
15.根据权利要求13所述的图像传感器芯片尺寸封装,其中所述第一金属化表面包括在特定位置的氧化物,所述特定位置与包括在所述金属化层中的氧化物的特定位置相对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的