[发明专利]一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路

说明书

本发明涉及一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，包括调压比较电路、隔离泄放驱动电路、泄放电路和吸收电路；所述吸收电路当母线电压发生波动时，稳定母线电压；所述调压比较电路当母线电压超过设定阈值时，控制隔离泄放驱动电路开启；隔离泄放驱动电路开启后控制泄放电路开启，消耗母线电能。本发明实现了对逆变电路中功率MOS管的保护，提高了逆变器电路的安全性能，而且电路搭建简单可靠，节约了研发成本和研发时间。采用了调压比较电路，实现了对电压比较值的有效调节，能够按照保护电压调节比较阈值，提高了对逆变电路的可控性。采用了隔离泄放驱动电路，实现了强电信号和弱电信号的隔离，提高了整个电路的安全性、抗干扰能力和驱动能力。

技术领域

本发明涉及一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，属于电子电路技术领域。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是金属氧化物半导体场效应管。随着电子电力技术的发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等。在很多逆变电路中得到了越来越广泛的应用。但由于MOS管的体积小，本身不具有保护功能。当反馈充电或者尖峰脉冲等现象存在时，使主电路出现大的电流和大的电压，如果保护不及时，或者电压、电流没有泄放回路和吸收，使母线电压超过MOS管的承受电压、电流，就会烧毁MOS管，这样大大提高了研发的成本；即使有些逆变电路有保护电路，但是保护的电压值不能调节，保护电路简单，不精准，强电信号和弱电信号不能分离，不利于电路的延续性以及电路的安全性能。

如何对逆变电路中MOS管进行保护，防止在主电路出现大的电流和大的电压时击穿MOS管。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，在逆变电路工作时，出现过压、过流时，对电压电流泄放，对MOS进行保护，避免了MOS管的损坏，节约了研发成本。

本发明目的通过如下技术方案予以实现：

提供一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，包括调压比较电路、隔离泄放驱动电路、泄放电路和吸收电路；

所述吸收电路连接在逆变电路的母线正端与母线地之间，当母线电压发生波动时，稳定母线电压；

所述调压比较电路当母线电压超过设定阈值时，控制隔离泄放驱动电路开启；

隔离泄放驱动电路开启后控制泄放电路开启，消耗母线电能，并将输入端信号和输出端信号进行隔离。

优选的，所述设定阈值为120％U，U为母线额定电压。

优选的，所述吸收电路包括一个或多个并联的第一电容连接在逆变电路的母线电压与母线地之间。

优选的，所述吸收电路还包括漏极和源极保护电路，漏极和源极保护电路包括串联连接的第一电阻，第二电容，第一电阻，第二电容串联连接在功率MOS管的漏极和源极之间。

优选的，所述吸收电路还包括栅极和源极保护电路，漏极和源极保护电路包括第二电阻，第三电阻，第三电容，所述第三电阻与第三电容并联后一端连接功率MOS管的源极，另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻另一端功率MOS管的栅极。

优选的，所述泄放电路包括泄放控制MOS管，第四电阻，第五电阻，第四电容和稳压二极管；第五电阻的一端接收隔离泄放驱动电路输出的控制信号；第五电阻的一端经第四电容连接至母线地；第五电阻的另一端连接泄放控制MOS管的栅极，稳压二极管连接在泄放控制MOS管的栅极与源极之间，MOS管的源极连接至母线地；MOS管的漏极经第四电阻连接至母线正端。

优选的，所述调压比较电路包括分压电路和比较电路，所述分压电路提供比较电路的阈值电压，当采集的母线电压大于阈值电压时，比较电路输出控制信号，控制隔离泄放驱动电路开启。