[发明专利]一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路

权利要求书

1.一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，其特征在于，包括调压比较电路、隔离泄放驱动电路、泄放电路和吸收电路；

所述吸收电路连接在逆变电路的母线正端与母线地(GND2)之间，当母线电压发生波动时，稳定母线电压；

所述调压比较电路当母线电压超过设定阈值时，控制隔离泄放驱动电路开启；

隔离泄放驱动电路开启后控制泄放电路开启，消耗母线电能，并将输入端信号和输出端信号进行隔离；

所述设定阈值为120％U，U为母线额定电压；

所述吸收电路包括一个或多个并联的第一电容(C2)连接在逆变电路的母线正端与母线地(GND2)之间；

所述吸收电路还包括漏极和源极保护电路，漏极和源极保护电路包括串联连接的第一电阻(R14，R17)和第二电容(C5，C6)，第一电阻(R14，R17)和第二电容(C5，C6)串联连接在功率MOS管的漏极和源极之间；

所述调压比较电路包括分压电路和比较电路，所述分压电路提供比较电路的阈值电压，当采集的母线电压大于阈值电压时，比较电路输出控制信号，控制隔离泄放驱动电路开启；

所述泄放电路包括泄放控制MOS管(Q2)，第四电阻(R11)，第五电阻(R10)，第四电容(C1)和稳压二极管(D2)；第五电阻(R10)的一端接收隔离泄放驱动电路输出的控制信号；第五电阻(R10)的一端经第四电容(C1)连接至母线地(GND2)；第五电阻(R10)的另一端连接泄放控制MOS管(Q2)的栅极，稳压二极管(D2)连接在泄放控制MOS管(Q2)的栅极与源极之间，泄放控制MOS管(Q2)的源极连接至母线地(GND2)；泄放控制MOS管(Q2)的漏极经第四电阻(R11)连接至母线正端；

所述吸收电路还包括栅极和源极保护电路，漏极和源极保护电路包括第二电阻(R13，R16)，第三电阻(R12，R15)，第三电容(C3，C4)，所述第三电阻(R12，R15)与第三电容(C3，C4)并联后一端连接功率MOS管的源极，另一端与第二电阻(R13，R16)的一端连接，第二电阻(R13，R16)另一端与功率MOS管的栅极连接；

所述隔离泄放驱动电路包括光电耦合器(U2)及其驱动电路，当比较电路输出控制信号为低电平时，光电耦合器(U2)导通，输出控制信号至泄放电路；驱动电路包括电阻R5、R6、R7、R8、R9，二极管D1，三极管Q1，电阻R5、R6、R7、R9的一端同时与驱动电源连接，电阻R5的另一端同时与调压比较电路的输出端以及二极管D1的阴极连接，电阻R6的另一端同时与电阻R8的一端、三极管Q1的基极、二极管D1的阳极连接，电阻R7的另一端与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极和电阻R8的另一端同时接入光电耦合器(U2)的输入端，电阻R9的另一端、第五电阻(R10)和第四电容(C1)的公共端同时接入光电耦合器(U2)的输出端；

所述光电耦合器(U2)为纳秒级光电耦合器(U2)，对强弱信号隔离；

所述第一电容(C2)和第二电容(C5，C6)采用无寄生电感电容，在PCB电路板上的位置靠近保护的功率MOS管。