[发明专利]一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法

权利要求书

1.一种晶粒尺寸测量方法，其特征在于，包括：

获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；

对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；

根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；

其中，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的横向尺寸，具体包括：

采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的纵向尺寸，具体包括：

采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，具体包括：

采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，该方法还包括：

根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒；

所述对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：

对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：

取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；

取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，在确定所述晶粒界面图中的至少一个晶粒的横向尺寸和纵向尺寸之后，该方法还包括：

取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的横向尺寸，以及取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸；

确定所述结晶体的另外至少一个结晶区域中晶粒的横向尺寸和纵向尺寸的步骤；

所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：

取各个所述结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；

取各个所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。

7.一种晶粒尺寸测量装置，其特征在于，包括：

成像单元，用于获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；

测量单元，用于对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；

晶粒尺寸确定单元，用于根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；

其中，所述测量单元，还用于采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述成像单元具体用于：

采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。