[发明专利]一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法

说明书

本发明提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，本发明提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法。

背景技术

多晶硅(p-Si)薄膜晶体管相较于非晶硅(a-Si)薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，其被广泛应用于显示面板的阵列基板中。目前，多晶硅薄膜晶体管中的有源层一般为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜，制备的多晶硅薄膜的优劣对多晶硅薄膜晶体管的电学性能将产生重要影响，通常多晶硅薄膜的优劣通过测量该多晶硅薄膜的晶粒尺寸来评估，测量到的晶粒尺寸越能反映晶粒形状特点，越能更好地评估出多晶硅薄膜的优劣，从而可以指导工艺生产，制备出电学性能优异的多晶硅薄膜晶体管。

而目前测量多晶硅薄膜的晶粒尺寸的方法一般通过统计晶粒界面图中晶粒的平均面积来实现，但是晶粒的平均面积并不能很好地反映晶粒形状特点，例如：采用上述方法分别测量无规则形状多晶硅薄膜的晶粒尺寸(如图1所示)和四方晶结构的多晶硅薄膜的晶粒尺寸(如图2所示)，统计的晶粒平均面积分别为0.106μm²和0.102μm²，虽然两者统计的晶粒平均面积相近，但实际上表示的是两种不同的多晶硅晶粒类型，因此该方法不能有效地指导工艺生产，从而不能制备出电学性能优异的多晶硅薄膜晶体管。

基于此，如何使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导。

本发明实施例提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：

获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；

对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；

根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。

通过该晶粒尺寸测量方法，可以确定结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，然后通过结晶体的晶粒横向尺寸与纵向尺寸，可以很好地反映晶粒形状特点，从而可以对工艺生产产生有效的指导。

较佳地，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的横向尺寸，具体包括：

采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。

较佳地，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的纵向尺寸，具体包括：

采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。

较佳地，所述获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，具体包括：

采用扫描电镜(扫描电子显微镜的简称)对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。