[发明专利]单侧功率装置封装体

权利要求书

1.一种电路封装体，包括：

绝缘层；

延伸穿过所述绝缘层的第一晶体管，所述第一晶体管包括：

在绝缘层的顶侧的第一控制端子，

在绝缘层的顶侧的第一源极端子，以及

在绝缘层的底侧的第一漏极端子；

延伸穿过所述绝缘层的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

在绝缘层的顶侧的第二控制端子，

在绝缘层的底侧的第二源极端子，以及

在绝缘层的顶侧的第二漏极端子；以及电连接到所述第一源极端子和所述第二漏极端子的第一水平导电路径，其中，所述第一水平导电路径未延伸到所述绝缘层中。

2.根据权利要求1所述的电路封装体，所述电路封装体还包括延伸穿过所述绝缘层且电连接到第一水平导电路径的垂直导电路径。

3.根据权利要求1所述的电路封装体，所述电路封装体还包括：

电连接到所述第一控制端子的第二水平导电路径；以及

延伸穿过所述绝缘层的第一垂直导电路径，其中，所述第二水平导电路径与所述第一水平导电路径电隔离。

4.根据权利要求3所述的电路封装体，所述电路封装体还包括电连接到所述第二控制端子的第三水平导电路径和延伸穿过所述绝缘层的第二垂直导电路径，其中，所述第三水平导电路径与所述第一水平导电路径和所述第二水平导电路径电隔离。

5.根据权利要求4所述的电路封装体，

其中，所述第一水平导电路径被配置为与电感器导电，

所述电路封装体还包括延伸穿过所述绝缘层的第三垂直导电路径，其中，所述第三垂直导电路径被配置为与所述电感器导电。

6.根据权利要求4所述的电路封装体，其中：

所述第一水平导电路径包括第一铜板；

所述第二水平导电路径包括第二铜板；以及

所述第三水平导电路径包括第三铜板。

7.根据权利要求1所述的电路封装体，其中：

所述第一晶体管包括离散n沟道垂直场效应晶体管(FET)；

所述第二晶体管包括离散n沟道垂直场效应晶体管(FET)；

所述第一控制端子包括第一栅极端子；以及

所述第二控制端子包括第二栅极端子。

8.根据权利要求1所述的电路封装体，其中：

所述第一漏极端子电连接到输入节点；

所述第二源极端子与参考电压电连接；以及

所述第一控制端子和所述第二控制端子电连接到驱动器电路。

9.根据权利要求1所述的电路封装体，所述电路封装体还包括附接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的预先形成的支撑结构，其中，所述预先形成的支撑结构包括至少两个垂直导电路径。

10.根据权利要求1所述的电路封装体，其中，所述绝缘层包括FR4或没有纤维增强的树脂膜。

11.一种用于制造电路封装体的方法，包括：

将第一晶体管连接到绝缘层，其中，所述第一晶体管包括：

在绝缘层的顶侧的第一控制端子，

在绝缘层的底侧的第一漏极端子，以及

在绝缘层的顶侧的第一源极端子；

将第二晶体管连接到绝缘层，其中，所述第二晶体管包括：

在绝缘层的顶侧的第二控制端子，

在绝缘层的底侧的第二源极端子，以及

在绝缘层的顶侧的第二漏极端子；

将第一水平导电路径电连接到所述第一源极端子和所述第二漏极端子，其中，所述第一水平导电路径未延伸到所述绝缘层中。

12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

形成延伸穿过所述绝缘层的第一垂直导电路径；以及

将第二水平导电路径电连接到所述第一控制端子和所述第一垂直导电路径，其中，所述第二水平导电路径与所述第一水平导电路径电隔离。