[发明专利]功率半导体设备

权利要求书

1.一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括基底并且包括被布置在所述基底上并与所述基底导电地连接的功率半导体组件，所述功率半导体设备包括导电的DC电压母线系统并且包括与所述DC电压母线系统导电地连接的电容器，

其中，所述功率半导体设备具有用于固定所述电容器的电容器固定装置，所述电容器固定装置包括用于收纳所述电容器的收纳设备，所述电容器的至少一部分被布置在所述收纳设备中，

其中，导电地连接到所述DC电压母线系统的导电的母线系统端子元件在所述基底的方向上从所述DC电压母线系统延伸，

其中，被实质性地键合到所述电容器固定装置的、并且由弹性体形成的至少一个具有弹性的第一变形元件被布置在所述电容器固定装置的面向所述DC电压母线系统的一侧上，

其中，所述功率半导体设备以如下方式来被具体实现：

所述电容器固定装置经由所述至少一个第一变形元件来在所述基底的方向上挤压所述DC电压母线系统，并且从而将所述母线系统端子元件压靠在所述基底的导电的接触区域，使得所述母线系统端子元件与所述基底的所述接触区域导电性地压力接触，

其中，所述功率半导体设备具有AC负载电流传导元件，

其中，所述电容器固定装置具有压力元件，

其中，被实质性地键合到所述压力元件的、并且由弹性体形成的具有弹性的第二变形元件被布置在所述压力元件的面向所述AC负载电流传导元件的一侧上，

其中，所述功率半导体设备以如下方式来被具体实现：

所述电容器固定装置经由所述第二变形元件将所述AC负载电流传导元件压靠在所述基底的另一导电的接触区域上，使得所述AC负载电流传导元件与所述基底导电性地压力接触。

2.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述至少一个第一变形元件的一部分被布置在所述电容器固定装置的切口中，该切口被指配给相应的第一变形元件。

3.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述第二变形元件的一部分被布置在所述压力元件的切口中，该切口被指配给所述第二变形元件。

4.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述收纳设备具有收纳元件，

其中，所述电容器被布置在所述收纳元件与所述DC电压母线系统之间，

其中，被实质性地键合到所述收纳元件的、由弹性体形成的、并且与所述电容器机械地接触的具有弹性的第四变形元件被布置在所述收纳元件的面向所述电容器的一侧上。

5.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述弹性体被具体实现为交联的硅橡胶。

6.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述DC电压母线系统具有导电的正电位母线和导电的负电位母线，通过被布置在所述正电位母线与所述负电位母线之间的非导电绝缘层来以彼此电绝缘的方式布置所述正电位母线和所述负电位母线。

7.根据权利要求6所述的功率半导体设备，其特征在于，

各个所述母线系统端子元件与所述正电位母线或与所述负电位母线来被一体地具体实现。

8.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述至少一个第一变形元件与所述DC电压母线系统这两者的机械地接触区域最大为所述DC电压母线系统的面向所述电容器固定装置的区域的70％，

其中，所述至少一个第一变形元件与所述DC电压母线系统中的被布置成与所述母线系统端子元件直接相邻的区域机械地接触。

9.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其特征在于，

所述功率半导体设备具有金属主体和压力产生装置，

其中，所述基底被布置在所述主体上，

其中，所述压力产生装置在所述基底的方向上对所述电容器固定装置施加压力，并且所述电容器固定装置从而经由所述至少一个第一变形元件来在所述基底的方向上挤压所述DC电压母线系统。