[发明专利]一种功率半导体器件的RESURF终端结构在审
| 申请号： | 201710495643.1 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107104136A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李佳驹;罗蕾;林育赐;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 resurf 终端 结构 | ||
1.一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：包括阴极金属电极(1)、阴极金属电极(1)上方的第一导电类型重掺杂半导体衬底(2)、第一导电类型重掺杂半导体衬底(2)上方的第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)上表面的场氧化层(8)、位于所述场氧化层(8)上表面或者左侧的场板(9)、覆盖所述场板(9)和场氧化层(8)的硼磷硅玻璃层(10)；所述第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)内部左上方为第二导电类型半导体主结(4)；所述第二导电类型半导体主结(4)上表面一侧与阳极金属电极(11)电位相接；所述第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)内部还具有第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)；所述第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)与第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)上表面之间设有第一导电类型半导体轻掺杂区(6)；所述第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)内部右上方还具有第一导电类型半导体重掺杂截止环(7)；所述第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)的一侧与第二导电类型半导体主结(4)相连；所述场板(9)的左侧边界超过第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)与第二导电类型半导体主结(4)的交界面；所述第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)与第二导电类型半导体主结(4)相连，第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)的掺杂类型与第二导电类型半导体主结(4)相同，第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)的掺杂浓度低于第二导电类型半导体主结(4)。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：所述场板(9)为多晶硅场板，其一端与阳极金属(11)相连，另一端与第一导电类型半导体重掺杂截止环(7)电位相连。
3.根据权利要求2所述的一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：场氧化层(8)、场板(9)、硼磷硅玻璃(10)的上表面被金属(15)部分覆盖。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：所述场板(9)为半绝缘多晶硅场板或阻性场板，场板(9)一端与阳极金属(11)相接、另一端与第一导电类型半导体重掺杂截止环(7)电位相连，金属(15)部分覆盖场氧化层(8)、场板(9)、硼磷硅玻璃(10)。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：所述第二类导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)为均匀掺杂的第二类导电类型的半导体。
6.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的RESURF终端结构，其特征在于：所述第二类导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)为渐变掺杂，第二类导电类型半导体轻掺杂RESURF层(5)包括不同掺杂浓度的子段(51、52……5n)，子段的浓度从所述第二导电类型半导体主结(4)向终端外侧依次降低。
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