[发明专利]垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构及制作方法

权利要求书

1.一种垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构制作方法，其特征在于，在主结边缘的III-V族氮化物中引入电负性离子以形成负离子区，其中所述负离子区的深度为0.1～3μm，所述负离子区底部与所述垂直型III-V族氮化物功率器件的漂移区直接接触，且所述负离子区位于所述主结外侧，所述负离子区与所述主结之间具有部分重叠区域，或者所述负离子区与所述主结的边缘在竖直方向上对齐，或者所述负离子区与所述主结之间不具有重叠区域；其中，所述电负性离子包括氟离子和氧离子。

2.根据权利要求1所述的终端结构制作方法，其特征在于，电负性离子通过离子注入的方式引入。

3.根据权利要求1所述的终端结构制作方法，其特征在于，电负性离子的来源是相应的等离子体。

4.根据权利要求3所述的终端结构制作方法，其特征在于，电负性离子的等离子体由反应离子刻蚀、等离子体增强原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积中任一种或多种工艺引入；

其中反应离子刻蚀包括：感应耦合等离子体-反应离子刻蚀。

5.根据权利要求1所述的终端结构制作方法，其特征在于，电负性离子是在含相应元素的气体氛围中经退火而引入的。

6.根据权利要求1所述的终端结构制作方法，其特征在于，电负性离子是在含相应元素的液体中经浸泡而引入的。

7.根据权利要求1所述的终端结构制作方法，其特征在于，在引入负离子之前，对目标半导体区域进行刻蚀或不刻蚀处理。

8.一种垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构，其特征在于，包括形成于主结边缘的负离子区，所述负离子区通过在III-V族氮化物中引入电负性离子形成，其中所述负离子区的深度为0.1～3μm，所述负离子区底部与所述垂直型III-V族氮化物功率器件的漂移区直接接触，且所述负离子区位于所述主结外侧，所述负离子区与所述主结之间具有部分重叠区域，或者所述负离子区与所述主结的边缘在竖直方向上对齐，或者所述负离子区与所述主结之间不具有重叠区域。

9.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，所述III-V族氮化物功率器件包括PiN二极管、肖特基二极管、结势垒肖特基器件(JBS)、MOSFET、电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)。

10.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，器件的衬底为氮化镓、碳化硅、硅、蓝宝石、绝缘体上硅(SOI)、氮化铝、金刚石中任一种。

11.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，器件的介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化铪、聚合物中任一种或多种介质层组合。

12.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，负离子区与电极或有源区重叠，不重叠或边缘对齐。

13.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，负离子区深度与主结深度相同，或者与主结深度不同。

14.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，所述负离子区首先对目标半导体区域进行刻蚀或不刻蚀处理，再引入负离子的方式形成。

15.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，负离子区单独作为终端，或结合场板结构，或结合沟槽结构。

16.根据权利要求15所述的终端结构，其特征在于，所述沟槽有一个或多个，沟槽的形状是：倒梯形、U型、V型、方形或阶梯型中任一种。