[发明专利]提高功率的IBC电池互联结构在审
申请号: | 201710046890.3 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN106784051A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/05 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 功率 ibc 电池 联结 | ||
技术领域
本发明涉及一种提高功率的IBC电池互联结构。
背景技术
IBC(Interdigitated back contact指交叉背接触)电池,是指电池正面无电极,正负两极金属栅线呈指状交叉排列于电池背面。IBC电池最大的特点是PN结和金属接触都处于电池的背面,正面没有金属电极遮挡的影响,因此具有更高的短路电流Jsc,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF;加上电池前表面场(Front Surface Field, FSF)以及良好钝化作用带来的开路电压增益,使得这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观,同时,全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
目前IBC电池的组件封装采用导电背板或者焊带焊接的方式,导电背板成本较高,在小面积电池上,正负极的主栅位于电池的两端,可以方便的实现焊接或者边缘互联,然而对于大面积电池这种主栅的设计会造成串联电阻的增加而损失效率。同时由于IBC电池本身的电流比较高,会造成组件的电阻损耗的增加。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高功率的IBC电池互联结构解决现有技术中存在的上述问题。
本发明的技术解决方案是:
一种提高功率IBC电池互联结构,包括IBC电池,IBC电池采用垂直分隔结构或平行分隔结构,IBC电池被均匀分隔为2-5个独立的电池片,每个电池片设有正极主栅线、负极主栅线、正极细栅线和负极细栅线,正极主栅线和负极主栅线平行设置形成主栅线对,细栅线与主栅线垂直设置,正极细栅线、负极细栅线平行交替设置,正极细栅线和极性相同的正极主栅线连接,正极细栅线和极性相反的负极主栅线相互绝缘,负极细栅线和极性相同的负极主栅线连接,负极细栅线和极性相反的正极主栅线相互绝缘,相邻的电池片由导电连接件连接极性相反的电极。
进一步地,垂直分隔结构为IBC电池在与主栅线对垂直的方向上被均匀分隔为2-5个独立的电池片,相邻电池片中心对称设置,导电连接件采用导电胶带或者镀In或Sn的铜带,相邻电池片的主栅线对保持相互平行,并且极性相反的正极主栅线、负极主栅线位于同一直线上。
进一步地,正极细栅线和极性相反的负极主栅线间设有绝缘胶,负极细栅线和极性相反的正极主栅线间设有绝缘胶。
进一步地,相邻电池片的间距为0.5mm-3mm。
进一步地,平行分隔结构为IBC电池在与主栅线对平行的方向上被均匀分隔为2-5个独立的电池片,每个电池片均设有一组极性相反的正极主栅线和负极主栅线,正极主栅线和负极主栅线分设在电池片的两端。
进一步地,正极细栅线与极性相反的负极主栅线间设有间隙,负极细栅线与极性相反的正极主栅线间设有间隙。
进一步地,相邻电池片的间距为0.2mm-3mm。
进一步地,导电连接件采用采用金属板或者导电胶带。
进一步地,导电连接件表面涂有反光介质层。
进一步地,平行分隔结构中电池片的数量与主栅线的数目相同。
本发明的有益效果是:该种高功率IBC电池互联结构,能够提高组件的功率至少2%-3%。本发明通过将电池分成半片或者多片来降低由于电流较大造成的功率损失,也通过电池主栅线的重新设计来降低电池的串联电阻,减少主栅印刷时的工艺复杂性,从而最大限度的提高组件的功率。
附图说明
图1是常规大面积IBC电池的主栅线设计的示意图;
图2是实施例一IBC电池被均匀分隔为2个电池片,且采用垂直分隔结构的示意图;
图3是实施例二IBC电池被均匀分隔为3个电池片,且采用垂直分隔结构的示意图;
图4是实施例三IBC电池被均匀分隔为3个电池片,且采用平行分隔结构的示意图;
图5是实施例四IBC电池被均匀分隔为5个电池片,且采用平行分隔结构的示意图;
其中:1-正极细栅线,2-负极细栅线,3-正极主栅线,4-负极主栅线,5-绝缘胶,6-导电连接件。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的