[发明专利]毫伏功率采集FET控制器

说明书

在所描述的用于控制具有第一(250)、第二(240)和第三(245)端子的晶体管(230)的电路和方法的示例中，在第一端子(250)处的电压水平部分控制从第二端子(240)流到第三端子(245)的电流。控制器(260)接收存在于晶体管(230)的第二(240)和第三(245)端子两端的电压并且使用所述电压为控制器(260)的组件供电。控制器(260)为晶体管(230)的第一端子(250)提供电压。控制器(260)通过调节被提供给第一端子(250)的电压来调节在晶体管(230)的第二(240)和第三(245)端子两端的电压。

背景技术

电池供电设备通常包括电子保护设施以防止万一反向电池安装、意外短路或其他不当操作对内部电子器件的损害。这样的电子保护设施确保任何反向电流和反向偏压足够低以防止对电池本身或设备的内部电子器件的损害。制造商通常用来实现反向电池保护的一个前端组件是串联二极管。在较高的功率系统(例如，两安培或更高)中，串联二极管两端的电压降可能导致过量的功耗。最近，场效应晶体管已经被用来实施反向电池保护。最近的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有非常低的电阻并且因此非常适合以最小的损耗提供反向电流保护。然而，在反向电流情况期间使用FET来保护电池包括使用控制器来调节FET两端的电压降，并且控制器本身消耗微小的功率。

发明内容

在所描述的示例中，一种电路包括晶体管和控制器。该晶体管具有第一、第二和第三端子。在第一端子处的电压水平部分控制从第二端子流到第三端子的电流。控制器接收存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压并且使用该电压为控制器的组件供电。控制器向晶体管的第一端子提供电压。控制器通过调节被提供给第一端子的电压来调节晶体管的第二和第三端子两端的电压。

在进一步的示例中，一种电路包括晶体管和控制器。该晶体管具有第一、第二和第三端子。在第一端子处的电压水平部分控制从第二端子流到第三端子的电流。控制器包括电压转换器和控制电路。电压转换器接收存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压并且将该电压转换成电源电压，该电源电压是比接收到的电压更高的电压。控制电路由该电源电压供电。控制电路接收存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压并且向晶体管的第一端子提供控制电压。控制电路通过调节被提供给第一端子的控制电压来调节晶体管的第二和第三端子两端的电压。

所描述的示例包括一种控制具有第一、第二和第三端子的晶体管的方法，其中在第一端子处的电压水平部分控制从第二端子流到第三端子的电流。根据该方法，接收存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压。存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压被用来为控制电路供电。控制电路基于存在于晶体管的第二和第三端子两端的电压产生控制电压。控制电路向晶体管的第一端子提供该控制电压。

附图说明

图1是包括为负载供电的电池并且使用用于反向电流保护的晶体管的电路的示意电路图。

图2是NFET晶体管和相关的控制器的示意电路图。

图3是表示控制晶体管的方法的流程图。

具体实施方式

参照附图描述示例性实施例，其中相同的附图标记被用来表示相似或等效的元件。一些行为或事件可以以不同的顺序发生和/或与其他行为或事件并行地发生。此外，可能不需要一些示出的行为或事件来实施根据本公开的方法。

示例性实施例总体上针对于使用存在于被控制的晶体管的端子两端的电压来为晶体管控制器供电。本文关于控制串联保护FET描述了一般概念。示例实施例的方面可以在各种各样的应用中被应用和实施。