[发明专利]毫伏功率采集FET控制器

权利要求书

1.一种控制提供反向电流保护的晶体管的电路，其包括：

包括第一端子、第二端子和第三端子的晶体管，其中在所述第一端子处的电压水平部分控制从所述第二端子流到所述第三端子的电流；和

电压转换器，其被配置为接收存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压，并且生成电压用于为控制器的组件供电，所述控制器耦合到存在于所述第二端子和所述第三端子两端的电压并且被配置为向所述晶体管的所述第一端子提供电压，从而所述控制器可操作以通过调节被提供给所述第一端子的电压来调节所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压，其中所述控制器包括：

差分放大器，其具有耦合到所述晶体管的所述第三端子的反相输入端并且具有耦合到所述晶体管的所述第一端子的输出端；和

耦合在所述晶体管的所述第二端子和所述差分放大器的非反相输入端之间的偏置电压源，所述偏置电压源的电压对应于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的预定目标电压，

其中所述控制器可操作以通过调节被提供给所述晶体管的所述第一端子的电压将所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压维持在所述预定目标电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其中接收到的存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压是所述控制器的唯一的功率来源。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述预定目标电压对应于为所述控制器的所述组件供电所需要的最小电压。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管包括场效应晶体管即FET，并且其中所述第一端子包括所述FET的栅极。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述晶体管包括n沟道FET即NFET，所述第二端子包括所述NFET的源极，并且所述第三端子包括所述NFET的漏极。

6.一种控制提供反向电流保护的晶体管的电路，其包括：

包括第一端子、第二端子和第三端子的晶体管，其中在所述第一端子处的电压水平部分控制从所述第二端子流到所述第三端子的电流；和

控制器，其包括：被配置为接收存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压并且将所述电压转换成电源电压的电压转换器，所述电源电压是比接收到的电压更高的电压；和由所述电源电压供电的控制电路，并且所述控制电路被配置为接收存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压并且向所述晶体管的所述第一端子提供控制电压，从而所述控制电路可操作以通过调节被提供给所述第一端子的所述控制电压来调节所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压，其中所述控制电路包括：

由所述电源电压供电的差分放大器，所述差分放大器具有耦合到所述晶体管的所述第三端子的反相输入端并且具有耦合到所述晶体管的所述第一端子的输出端；和

耦合在所述晶体管的所述第二端子和所述差分放大器的非反相输入端之间的偏置电压源，所述偏置电压源的电压对应于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的预定目标电压，

其中所述控制电路可操作以通过调节被提供给所述晶体管的所述第一端子的控制电压将所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压维持在所述预定目标电压。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述电压转换器包括被配置为接收存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压并且将所述电压转换成电源电压的电荷泵电路，所述电源电压是比接收到的电压更高的电压。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述控制器包括振荡器，所述振荡器被配置为接收存在于所述晶体管的所述第二端子和所述第三端子两端的电压并且产生振荡信号，并将所述振荡信号提供给所述电荷泵以驱动所述电荷泵电路。

9.根据权利要求7所述的电路，其中所述控制器包括存储电容器，所述存储电容器经耦合以接收和存储由所述电荷泵电路产生的所述电源电压。