[发明专利]用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201680012349.4 申请日: 2016-02-18
公开(公告)号: CN107408019B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: X·郭;F·朱;Y·B·瓦克肖尔;D·J·佩尔斯特 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10;G11C14/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 提高 非易失性存储器 中的 缺陷 抗干扰 方法 装置
【说明书】:

描述了涉及用于平坦间接系统中的可变扇区大小(VSS)实现的旋转平面XOR方案的方法和装置。在一个实施例中,非易失性存储器将用户数据存储在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及将对应于所述用户数据的奇偶数据存储在多个平面的第二集合中。旋转在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及在多个平面的第二集合中的用户数据以匹配奇偶数据的映射。

相关申请

本申请根据35 U.S.C.365(b)要求于2015年3月27日提交的美国申请No.14/672,080的优先权。该申请No.14/672,080在此通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子领域。更具体地,一些实施例总体上涉及提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性。

背景技术

奇偶校验可以用于解决外在缺陷和/或提高存储设备的系统可靠性。但是,奇偶校验总体上依赖存储的数据来确定一些数据是否有缺陷。随着存储设备在大小方面增长,用于相应的奇偶数据的存储需求可能显著地加入必需的存储空间。该额外的空间要求可能增加制造成本并且还可能减慢总体系统性能,例如,由于访问额外的奇偶存储空间所需要的额外的时间。

附图说明

参照附图提供详细描述。在附图中,附图标记最左边的数字识别附图标记第一次出现在其中的附图。在不同的附图中的相同附图标记的使用指示相似或相同的项目。

图1和图4-6示出了可以利用其实现本文中所讨论的各种实施例的计算系统的实施例的框图。

图2A-2D示出了根据一些实施例的跨多个管芯的平面中的用户数据和奇偶数据的存储配置。

图3示出了根据实施例的固态驱动的各种组件的框图。

具体实施方式

在以下描述中,阐明了大量具体细节以便提供各种实施例的透彻理解。然而,各种实施例可以在没有具体细节的情况下实施。在其它实例中,没有对公知的方法、过程、组件和电路进行详细描述是为了不使特定的实施例难以理解。此外,可以使用诸如集成半导体电路(“硬件”)、组织到一个或多个程序中的计算机可读指令(“软件”)或者硬件和软件的一些组合的各种手段执行实施例的各种方面。针对本公开的目的,对“逻辑”的引用将意味或者硬件、软件、固件或者其一些组合。

如以上所讨论的,奇偶校验可以用于解决外在缺陷和/或提高存储设备(诸如将数据存储在非易失性存储器中的固态驱动(SSD))的系统可靠性。基于XOR(异或)的奇偶校验可以用于解决外在缺陷并且提高基于闪存的SSD的系统可靠性。但是,用于存储XOR奇偶数据的闪存空间增加了用于SSD的物料清单(BOM)。此外,相比于常规的XOR方案,平面XOR通过针对跨相同集成电路(IC)管芯中的多个平面存储的数据利用相同的XOR奇偶数据来减少空间使用开销。但是,该方案使系统暴露于管芯中的平面内故障的风险(即,相同管芯上的相同NAND(和/或NOR)存储器平面中的故障)。

为了该目的,一些实施例涉及用于平坦间接系统(flat indirection system)中的可变扇区大小(VSS)实现的旋转平面XOR方案。此外,实施例提高了对使用平面XOR方案的SSD的平面内(例如,NAND和/或NOR存储器单元)缺陷的系统抗干扰性。例如,一个实施例通过将所存储的数据旋转至XOR奇偶映射使系统对由于平面内缺陷的XOR还原故障抗干扰(或者至少减少其可能性)。这进而解决由对相同管芯上的相同NAND(和/或NOR)存储器平面中的多个读取错误不抗干扰的一些已知的平面XOR解决方案造成的问题。

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